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산화아연(ＺｎＯ) 나노구조체의 제조방법 및 제조장치

  • 기술번호 : KST2015120993
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화아연 분말과 그라파이트(graphite)의 환원반응에 의해 생성되는 아연가스를 실리콘 기판상에 증착시켜 나노구조체를 제조하되, 반응관 내부의 온도 조절 및 캐리어 가스로서 유입되는 알곤(Ar)과 산소(O2)의 배합비 조절에 의해 다양한 나노구조체를 재현성 있게 제조하는 방법과 이의 제조장치에 관한 것이다. 산화아연, 나노쉬트, 나노선 어레이, 산소, 촉매
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030049836 (2003.07.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0553318-0000 (2006.02.10)
공개번호/일자 10-2005-0010601 (2005.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.21)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재환 대한민국 서울특별시마포구
2 최헌진 대한민국 서울시성북구
3 박재관 대한민국 서울시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0265231-28
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0271614-08
3 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2004.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-5037778-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0029889-03
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0391764-34
7 의견서
Written Opinion		 2005.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0584994-53
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0584992-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0049585-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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2 2
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4 4
알곤(Ar)의 유량이 20 ∼ 50 cc/min 이며, 알곤(Ar)에 대하여 산소(O2)가 1 ∼ 20 부피% 범위로 포함된 혼합기체가 존재하고 반응온도가 800 ∼ 950 ℃ 범위 내로 조절된 조건하에서, 산화아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연가스를 생성시키고, 생성된 아연가스를 실리콘 기판상에 증착 및 성장시켜 나노선(nanowire)을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 나노선(nanowire)은 직경이 50 ∼ 200 nm이고, 길이는 5 ∼ 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
6 6
알곤(Ar)의 유량이 20 ∼ 50 cc/min 이며, 알곤(Ar)에 대하여 산소(O2)가 1 ∼ 2 부피% 범위로 포함된 혼합기체가 존재하고 반응온도가 850 ∼ 900 ℃ 범위 내로 조절된 조건하에서, 산화아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연가스를 생성시키고, 생성된 아연가스를 실리콘 기판상에 증착 및 성장시켜 나노선 어레이(nanowire array)를 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 나노선 어레이(nanowire array)는 폭이 10 ∼ 50 ㎛이고, 길이는 50 ∼ 1000 ㎛이며, 나노선 어레이(빗살)의 직경은 50 ∼ 300 nm인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
8 8
알곤(Ar)의 유량이 20 ∼ 50 cc/min 이며, 알곤(Ar)에 대하여 산소(O2)가 2 ∼ 20 부피% 범위로 포함된 혼합기체가 존재하고 반응온도가 850 ∼ 900 ℃ 범위 내로 조절된 조건하에서, 산화아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연가스를 생성시키고, 생성된 아연가스를 실리콘 기판상에 증착 및 성장시켜 나노쉬트(nanosheet)를 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 나노쉬트(nanosheet)는 폭이 10 ∼ 100 ㎛이고, 길이가 500 ∼ 2000 ㎛ 이며, 두께는 50 ∼ 150 nm인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
10 10
알곤(Ar)의 유량이 20 ∼ 50 cc/min 이며, 알곤(Ar)에 대하여 산소(O2)가 1 ∼ 8 부피% 범위로 포함된 혼합기체가 존재하고 반응온도가 900 ∼ 950 ℃ 범위 내로 조절된 조건하에서, 산화아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연가스를 생성시키고, 생성된 아연가스를 실리콘 기판상에 증착 및 성장시켜 나노로드(nanorod)를 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
11 11
알곤(Ar)의 유량이 20 ∼ 50 cc/min 이며, 알곤(Ar)에 대하여 산소(O2)가 8 ∼ 20 부피% 범위로 포함된 혼합기체가 존재하고 반응온도가 900 ∼ 950 ℃ 범위 내로 조절된 조건하에서, 산화아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연가스를 생성시키고, 생성된 아연가스를 실리콘 기판상에 증착 및 성장시켜 나노플레이트(nanoplate)를 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
12 12
기판 및 원료분말의 가열을 위하여 반응관의 내부 온도를 800 ∼ 950 ℃로 유지하도록 하는 발열체(10)와, 캐리어 가스의 주입 및 배출을 위한 가스 주입구(21) 및 가스 배출구(22)가 양단에 있고 상기 발열체(10)의 내부를 수평으로 관통하면서 그 내측에 위치되며 원료분말과 기판의 배치를 위한 반응관(20)과, 상기 반응관(20)의 내측에 위치되며 원료분말과 기판을 수용하는 반응체(30)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조장치
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 반응체(30)는 상부가 개방되어 있으며 일정한 양의 원료분말을 채울 수 있는 길다란 사각케이스 형태의 보트(31)와, 상기 보트(31) 내에 채워지는 원료분말(32)과, 상기 보트(31)의 상부에서 폭 방향으로 걸쳐지면서 길이방향으로 일정간격을 유지하며 배치되는 다수의 기판(33)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조장치
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 기판(33)은 원료분말로부터 3 ∼ 10 mm 수직방향으로 이격되도록 위치되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조장치
15 15
제 12 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 기판(33)은 실리콘 기판 위에 10∼30Å 두께의 금을 증착한 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조장치
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 기판(33)과 원료분말(32)을 포함하는 반응체(30) 전체는 반응관(20)의 중앙에서 가스 배출구(22)쪽으로 0 ∼ 50 mm 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조장치
17 17
제 4 항, 제 6 항, 제 8 항, 제 10 항 및 제 11 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 금이 10 ∼ 30 Å 두께로 증착된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법
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1 US07198773 US 미국 FAMILY
2 US07799291 US 미국 FAMILY
3 US20070041892 US 미국 FAMILY
4 US20080102004 US 미국 FAMILY

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1 US2007041892 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2008102004 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7198773 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7799291 US 미국 DOCDBFAMILY
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