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양각으로 패턴화된 마스터의 상면에 연성의 제1고분자를 적층시키고 경화처리하여 음각의 패턴을 형성하는 단계; 음각의 패턴이 형성된 제1고분자층을 마스터로부터 분리하고 상기 패턴내에 소정의 제1입자를 충진하는 단계; 패턴이 형성된 제1고분자층의 상면에 점착성의 제2고분자를 적층시켜 상기 소정의 입자로 구성되는 양각의 패턴을 상기 제2고분자층의 표면에 부착시키는 단계; 및 상기 제 2고분자층을 상기 제1고분자층으로부터 분리하고 상기 제2고분자층에 형성된 홈에 제2입자를 충진하는 단계를 포함하는 양각배열패턴의 형성방법
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제 1항에 있어서, 음각의 패턴은 미세접촉인쇄법, 모세관몰딩법, 전이몰딩법 중 선택되는 1종의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 형성방법
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제 1항에 있어서, 제1고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리스타이렌, 폴리이미드, 폴리비닐클로라이드의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자를 포함함을 특징으로 하는 형성방법
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제 1항에 있어서, 제1입자 및 제2입자는 각각 폴리머 비드, 형광체, 자성재료, 금속재료, 세라믹의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자임을 특징으로 하는 형성방법
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제 1항에 있어서, 제1입자 및 제2입자의 충진과정은 딥코팅, 화학기상증착, 전기도금의 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라 수행됨을 특징으로 하는 형성방법
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제 1항에 있어서, 제2고분자층의 형성은 소정의 기판을 음각 패턴 위에 설치하고 모세관 현상을 이용해 상기 음각 패턴의 기공내로 소정의 고분자를 충진하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 형성방법
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제 1항에 있어서, 제2고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리스타이렌, 폴리이미드의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자를 포함함을 특징으로 하는 형성방법
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양각으로 패턴화된 마스터의 상면에 연성의 고분자를 적층시키고 경화처리하여 음각의 패턴을 형성하는 단계; 음각의 패턴이 형성된 고분자층을 마스터로부터 분리하고 상기 패턴내에 소정의 제1입자를 충진하는 단계; 상기 고분자층의 음각의 패턴이 형성된 면에 소정의 기판을 부착시키는 단계; 상기 고분자층을 식각하여 상기 기판상에 상기 제1입자로 구성되는 양각패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 형성된 홈에 제2입자를 충진하는 단계를 포함하는 양각배열패턴의 형성방법
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제 8항에 있어서, 음각의 패턴은 미세접촉인쇄법, 모세관몰딩법, 전이몰딩법중 선택되는 1종의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 형성방법
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제 8항에 있어서, 연성의 고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리스타이렌, 폴리이미드의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자를 포함함을 특징으로 하는 형성방법
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제 8항에 있어서, 제1입자 및 제2입자는 각각 폴리머 비드, 형광체, 자성재료, 금속재료의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자임을 특징으로 하는 형성방법
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제 8항에 있어서, 제1입자 및 제2입자의 충진과정은 딥코팅, 스핀코팅, 화학기상증착, 전기도금의 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라 수행됨을 특징으로 하는 형성방법
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제 8항에 있어서, 제1입자 및 제2입자의 충진과정은 딥코팅, 스핀코팅, 화학기상증착, 전기도금의 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라 수행됨을 특징으로 하는 형성방법
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