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작업 대상물 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography) 공정을 수행하는 장치에 있어서, 작업 대상물을 장착하는 작업 대상물용 척; 자외선이 투과되는 투명한 재질로 이루어지며, 나노구조물이 표면에 형성된 요소 스탬프를 2개 이상 구비하는 스탬프; 상기 스탬프를 장착하는 스탬프 척; 상기 스탬프를 투과하도록 자외선을 조사하여 요소 스탬프와 작업 대상물 사이에 도포되어 있는 레지스트를 경화시키는 자외선 램프 유닛; 상기 작업 대상물용 척 또는 스탬프 척을 이동시켜 상기 레지스트를 요소 스탬프들과 작업 대상물 표면에 접촉시키는 이동 유닛; 및 상기 요소 스탬프들과 대향하는 작업 대상물의 일부 영역에 선택적으로 가스 압력을 작용시킴으로써 상기 요소 스탬프들의 나노 구조물들에 상기 레지스트를 충전(充塡)시키는 압력 부가 유닛; 을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항에 있어서, 상기 작업 대상물용 척은 가이드 블록에 의해 수평방향으로 이송 가능하게 설치되고, 상기 이동 유닛에 의해 수직방향으로 이송 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 2항에 있어서, 상기 작업 대상물용 척은 상기 이동 유닛에 의해 수직방향으로 이송되는 동안 가이드 로드에 의해 가이드되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항에 있어서, 상기 이동 유닛은 상기 압력 부가 유닛을 수직방향으로 이송 가능하게 설치하는 유압 실린더 또는 모터 구동식 액튜에이터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항에 있어서, 상기 압력 부가 유닛은 중공부를 구비하는 함체 형상의 하우징, 상기 하우징에 제공되며 중공부와 연통하는 가스 공급홀들, 상기 중공부에 가스를 공급하는 가스 공급기 및 상기 가스 공급홀들과 연통하며 상기 웨이퍼 척에 제공되는 관통홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 5항에 있어서, 상기 하우징의 상면에는 가스 공급홀들을 통해 공급된 가스가 관통홀들로 공급되지 못하고 누설되는 것을 방지하기 위한 씰링 부재가 장착되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항에 있어서, 상기 스탬프와 작업 대상물을 분리하기 위해 스탬프와 작업 대상물 사이에 가스를 분사하는 가스 공급 노즐을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 스탬프는 나노구조물들이 각인된 면이 평탄한 평면 스탬프인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 스탬프는 표면에 나노구조물들이 각인된 요소(element) 스탬프를 적어도 2개 이상 구비하며, 서로 이웃한 요소 스탬프들 사이에 상기 나노구조물의 깊이보다 더 깊은 홈(channel)을 구비하는 다중 양각 요소 스탬프인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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제 9항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 각 요소 스탬프의 표면에 형성된 나노구조물의 깊이보다 상기 홈의 깊이가 2 배 내지 1000 배 더 깊은 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 장치
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작업 대상물 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography) 공정에 있어서, 나노 구조물이 표면에 형성된 요소 스탬프를 2개 이상 구비하는 스탬프를 마련하는 단계; 작업 대상물 또는 요소 스탬프들 표면에 레지스트를 도포하는 단계; 상기 스탬프 및 작업 대상물을 스탬프 척 및 작업 대상물용 척에 각각 장착하는 단계; 상기 작업 대상물용 척 또는 스탬프 척을 이동시켜 상기 레지스트를 요소 스탬프들 또는 작업 대상물 표면에 가압하는 가압 단계; 상기 요소 스탬프들과 대향하는 작업 대상물의 일부 영역을 가스 압력을 통해 선택적으로 가압함으로써 상기 요소 스탬프들의 나노 구조물들에 상기 레지스트를 충전(充塡)시키는 압력 부가 단계; 상기 레지스트에 자외선을 조사(照査)하여 레지스트를 경화하는 단계; 상기 스탬프를 상기 작업 대상물과 분리하는 단계; 상기 작업 대상물과 스탬프의 상대적 위치를 변경한 후, 상기 단계들을 필요한 횟수만큼 반복하여 작업 대상물의 설정 영역에 경화된 레지스트를 형성하는 단계; 및 상기 경화된 레지스트를 이용하여 작업 대상물에 나노구조물들을 형성하는 단계; 를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 11항에 있어서, 상기 작업 대상물로 웨이퍼 또는 스탬프용 판재를 사용하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 레지스트를 도포하는 단계는 상기 각 요소 스탬프들 표면에 레지스트 액적을 직접 도포하는 액적 도포(droplet dispensing) 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 13항에 있어서, 상기 스탬프를 작업 대상물과 분리한 후에는 다음 공정을 수행하기 위해 상기 요소 스탬프의 표면에 레지스트를 도포하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 13항에 있어서, 상기 스탬프를 작업 대상물과 분리한 후에는 다음 공정을 수행하기 위해 상기 요소 스탬프의 표면에 레지스트를 도포하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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