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임프린트된 실리콘 기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법

  • 기술번호 : KST2015129022
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임프린트된 실리콘기판을 스탬프로 이용하여 금속박막이 코팅된 기판에 미세접촉인쇄를 수행하는 복합 미세접촉 인쇄방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합 미세접촉 인쇄방법은, 소정의 패턴을 갖는 마스터(master)를 준비하는 단계와; 실리콘기판의 상면에 레지스트(resist)를 도포하는 단계와; 상기 마스터를 상기 레지스트 상면에 접촉하여 가압시켰다가 분리해내는 임프린트(imprint) 단계와; 상기 임프린트된 실리콘기판의 레지스트를 경화시켜 미세접촉 스탬프로 제작하는 단계와; 상기 미세접촉 스탬프 표면에 소수성 물질인 자기조립 단층막(SAM, self-assembled monolayer)을 잉킹(inking)하는 단계와; 상기 미세접촉 스탬프를 금속박막이 코팅된 기판에 접촉하여 인쇄패턴을 전사하는 단계; 및 상기 인쇄패턴이 전사된 기판상의 금속박막을 식각하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 미세접촉인쇄, 임프린트, 탄성중합체(PDMS) 스탬프, 실리콘기판, 금속박막 코팅기판, 자기조립 단층막(SAM)
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020040005548 (2004.01.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0543130-0000 (2006.01.06)
공개번호/일자 10-2005-0077897 (2005.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정대 대한민국 대전광역시유성구
2 정준호 대한민국 대전광역시유성구
3 김광영 대한민국 경상남도창원시
4 이응숙 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0035507-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0076916-39
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0594722-88
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0430496-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 패턴을 갖는 마스터(master)를 준비하는 단계; 실리콘기판의 상면에 레지스트(resist)를 도포하는 단계; 상기 마스터를 상기 레지스트 상면에 접촉하여 가압시켰다가 분리해내는 임프린트(imprint) 단계; 상기 임프린트된 실리콘기판의 레지스트를 경화시켜 미세접촉 스탬프로 제작하는 단계; 상기 미세접촉 스탬프 표면에 자기조립 단층막(SAM, self-assembled monolayer)을 잉킹(inking)하는 단계; 상기 미세접촉 스탬프를 금속박막이 코팅된 기판에 접촉하여 인쇄패턴을 전사하는 단계; 및 상기 인쇄패턴이 전사된 기판상의 금속박막을 식각하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 임프린트된 실리콘기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 임프린트 단계는 가압된 레지스트를 자외선 또는 열로 경화시킨 다음 상기 마스터를 분리해내는 것을 특징으로 하는 복합 미세접촉 인쇄방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마스터는 자외선이 투과할 수 있는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트된 실리콘기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 레지스트로는 자외선 경화성 또는 열경화성 고분자 소재를 사용하는 것을 특징으로 하는 임프린트된 실리콘기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판에 코팅된 금속박막은 금(Au) 박막, 은(Ag) 박막, 및 팔라듐(Pd) 박막으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복합 미세접촉 인쇄방법
6 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판에 코팅된 금속박막은 금(Au) 박막, 은(Ag) 박막, 및 팔라듐(Pd) 박막으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복합 미세접촉 인쇄방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.