1 |
1
1) 원자력현미경(atomic force microscope, AFM)의 검침을 금속 나노입자로 코팅시키는 단계; 2) 지지체를 용매에 분산시킨 후 이를 기판 상에 나노입자 형태로 코팅시키는 단계; 및 3) 금속 나노입자로 코팅된 검침과 지지체 나노입자로 코팅된 기판 사이의 접착력을 AFM을 이용한 힘분광분석(force spectroscopy)을 통해 분석하는 단계를 포함하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 단계 1)에서의 금속 나노입자는 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 파라듐(Pd), 코발트(Co), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 금속의 나노입자인 것을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 단계 1)에서의 코팅은 아크 플라즈마 증착(arch plasma deposition), 분무(spray), 드롭캐스팅(drop casting), 전자빔 증착(electron beam(e-beam) evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)에서의 지지체는 ZnO, TiO2, SiO2 및 Al2O3을 포함하는 다공성 나노 산화물; 탄소 나노입자, 탄소 나노튜브, 그래핀(graphene) 및 플러린(fullerene)을 포함하는 탄소 다공성 물질; 실리콘(Si) 화합물; 및 인산염(phosphate) 화합물을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 것임을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2)에서의 용매는 엔헥산(n-hexane), 사이클로헥산(cyclohexane), 클로로폼(choloform), 디에틸에테르(diethyl ether), 아세톤(acetone), 디클로로메탄(dichloromethane) 및 이의 혼합물을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 것임을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)에서의 기판은 실리콘 기판(Si-plate), 갈륨-비소 기판(GaN-plate) 또는 사파이어 기판(sapphire-plate)인 것을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)에서의 코팅은 아크 플라즈마 증착(arch plasma deposition), 분무(spray), 드롭캐스팅(dropcasting), 랑뮈어 브라젯(Lanmuir-Blodgett), 전자빔 증착(e-beam evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 금속 나노입자와 지지체 사이의 접착력 측정 방법
|