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금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법

  • 기술번호 : KST2015116171
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법에 관한 것으로, 빛 조사 하에서 금속-반도체 하이브리드 나노촉매를 이용하여 화학반응 시 상기 반도체에 흡수되는 빛에 의해 생성되는 핫전자에 의해 상기 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성이 제어되는 것을 특징한다. 본 발명의 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법을 이용하면 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성을 증가 또는 감소시킬 수 있음으로써 상황에 따라 금속-반도체 하이브리드 나노촉매를 선택적으로 사용할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B01J 23/40 (2006.01) B01J 23/52 (2006.01)
CPC B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01)
출원번호/일자 1020120129922 (2012.11.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1481535-0000 (2015.01.06)
공개번호/일자 10-2014-0070701 (2014.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전 유성구
2 김선미 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0942961-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0052871-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0185419-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0386243-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0386244-51
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0656662-33
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0648024-38
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.10.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1015073-73
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1015069-90
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0815061-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛 조사 하에서 화학반응 시, 랭뮤어-블로드젯(Langmuir-Blodgette) 기법으로 제조된 금속-반도체 하이브리드 나노촉매를 이용하여, 상기 반도체에 흡수되는 빛에 의해 생성되는 핫전자를 증가시키기거나 감소시킴으로써, 상기 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성을 제어하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 코발트(Co), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 및 이리듐(Ir)으로 구성되는 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 금속-반도체 하이브리드 나노촉매는 반도체 기판 위에 금속 나노입자가 붙어 있는 형태인 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체가 p-도프된(doped) GaN 웨이퍼로 되는 반도체 기판을 사용함으로써, 핫전자를 증가시켜, 상기 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체가 n-도프된(doped) GaN 웨이퍼로 되는 반도체 기판을 사용함으로써, 핫전자를 감소시켜, 상기 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성을 감소시키는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
9 9
제1항에 있어서,상기 화학반응은 산화반응인 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
10 10
제1항에 있어서,상기 반응은 40 내지 350℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노촉매의 활성 제어방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 도약연구지원사업(도전) 핫전자 물리 및 화학의 연구