| 1 |
1
전이 금속 전구체와 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속의 전구체를 혼합하고, 상기 혼합물을 투석하고, 투석된 졸을 진공 건조하고, 건조물을 소성하여 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10nm 이하 크기의 반도체성 금속 산화물을 제조하는 것을 포함하는 광촉매 물질 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 전이 금속 전구체는 상기 전이 금속의 농도가 0
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 전이 금속 전구체는 염화 전이 금속액인 광촉매 물질제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서, 상기 염화 전이 금속액은 염화 철액, 염화 텅스텐액, 염화 망간액, 염화 바나듐액, 염화 백금액, 염화 금액 및 염화 은액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서, 상기 염화 전이 금속액은 염화 철액 또는 염화 텅스텐액인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서, 상기 염화 철액 또는 염화 텅스텐액은 철 또는 텅스텐의 농도가 0
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 전이 금속 전구체액은 0 내지 1℃의 용매에 염화 금속을 용해시켜 형성한 용액인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서, 상기 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속은 티탄, 지르코늄, 주석 또는 아연인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서, 상기 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속 전구체는 염화 티탄, 염화 지르코늄, 염화 주석 또는 염화 아연인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속 전구체는 염화 티탄인 광촉매 물질 제조 방법
|
| 11 |
11
제1 항에 있어서, 상기 투석은 1시간 이상 진행하는 광촉매 물질 제조 방법
|
| 12 |
12
제1 항에 있어서, 상기 진공 건조는 10-3~10-4 Torr 의 압력에서 진행하는 광촉매 물질 제조 방법
|
| 13 |
13
제1 항에 있어서, 상기 진공 건조는 20℃ 이하에서 진행하는 광촉매 물질 제조 방법
|
| 14 |
14
제1 항에 있어서, 상기 소성은 50 내지 600℃에서 진행하는 광촉매 물질 제조 방법
|
| 15 |
15
제1 항 내지 제14 항에 의해 제조된 전이 금속이 첨가된 평균 입경 10nm 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질
|
| 16 |
16
제1 항 내지 제14 항에 의해 제조된 전이 금속이 첨가된 평균 입경 10nm 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질이 담체에 코팅된 필터
|
| 17 |
17
유기 혼합물을 포함하는 공기를 흡입하는 팬;제1 항 내지 제14 항에 의해 제조된 전이 금속이 첨가된 평균 입경 10nm 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질이 담체에 코팅된 필터로서, 상기 팬에 의해 흡입된 공기를 화학적으로 분해하는 상기 필터; 및상기 필터에 의해 분해된 파티클을 제거하는 파티클 필터를 포함하는 팬 필터 유닛
|
| 18 |
18
제1 항 내지 제14 항에 의해 제조된 전이 금속이 첨가된 평균 입경 10nm 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질이 담체에 코팅된 필터를 포함하는 팬 필터 유닛으로, 유기 혼합물을 포함하는 공기를 분해하여 클린 룸으로 공급하는 상기 팬 필터 유닛; 및상기 클린 룸에서 배출되는 공기를 상기 팬 필터 유닛으로 공급하는 순환 시스템을 포함하는 클린 룸 시스템
|
