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전극을 포함하는 마이크로 히터와 성장시키고자 하는 물질의 액상 전구체를 접촉시킨 후, 상기 전극에 전압을 인가하여 상기 마이크로 히터를 가열시키는 단계; 및
상기 가열된 마이크로 히터로부터 상기 물질의 나노구조를 성장시키는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 마이크로 히터의 전극에는 상기 나노구조를 성장시키기 위한 종자입자가 구비되며, 상기 마이크로 히터의 가열에 의하여 상기 전극으로부터 나노구조가 직접 성장하는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제조방법은 상기 액상 전구체를 수용하는 용기 내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 마이크로 히터는 상기 용기 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 용기는 고분자 물질로 이루어진 웰 구조이며, 상기 나노구조 성장 후 제거되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 마이크로 히터는 상호 이격된 전극을 포함하며, 상기 전극에 인가되는 전압에 의하여 상기 마이크로 히터가 가열되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 나노구조물이 성장함에 따라 상기 이격된 전극은 상기 나노구조물에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 나노구조는 상기 마이크로 히터로부터 비등방 방향으로 성장하는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전구체에는 비극성 킬레이트 화합물이 첨가되며, 상기 비극성 킬레이트 화합물은 상기 나노구조물의 측면에 결합하며, 상기 나노구조물의 측면 성장을 저해시키는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 9항에 있어서,
상기 나노구조물은 ZnO이고, 이때 상기 비극성 킬레이트 화합물은 폴리에틸렌이미드인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 마이크로히터의 가열온도는 상기 전구체 용액의 끓는 점 이하인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 나노구조물은 MoO3, Bi2S3, SnO2, V2O5, MnO2, PbS, CoFe2O4, WO3로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
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제 1항, 제 3항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조물
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제 1항, 제 3항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 나노구조물을 포함하는 가스 센서
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제 1항, 제 3항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 ZnO 나노구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 센서
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