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상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121702
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화 메모리 소자에 있어서, 상변화 재료를 U-groove 안에 채워 넣어 상변화 재료의 부피를 최소화함으로써 전류에 의한 상변화시 발생할 수 있는 조성 변화를 방지하고, 이와 함께 상변화 재료 주위의 열을 외부로 방출할 수 있는 구조를 통해 상변화 메모리 소자가 열에 의해 변형되는 것을 방지하도록 구조적 안정성을 확보하며, 상변화 메모리 소자 내의 상변화 재료가 차지하는 부피를 줄여 고집적화를 가능하게 하고, 상변화 재료 내의 상변화 영역을 항상 일정하게 유지하도록 하여 전기적으로 우수한 특성을 갖는 U-groove 형태의 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060128888 (2006.12.15)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0830060-0000 (2008.05.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.15)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
2 염민수 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0931928-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0602156-58
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0019051-31
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0019048-04
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0245690-22
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 위에 형성되며, 상면에 하방으로 파여 진 그루브가 형성된 제1절연층;상기 제1절연층 위에 증착되어 상기 그루브의 형상을 따라 하방으로 움푹 꺼진 오목부가 존재하는 하부 전극;상기 오목부에 채워진 상변화 재료;상기 상변화 재료 위에 형성되며, 상기 상변화 재료의 상면 중 일부가 노출되도록 개구부가 형성된 제2절연층; 및상기 개구부를 통해 상기 상변화 재료 상면과 접촉하는 상부 전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 상변화 재료의 부피는 상변화가 일어나는 영역과 같은 부피인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 상변화 재료의 상면을 제외한 나머지 부분은 상기 하부 전극과 접촉하여 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 오목부의 최대 깊이는 상기 상변화 재료의 하방 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 상변화 재료는 Ge, Sb, Te, Sn, Ag, In, Bi, Se, Pb, As, S의 원소들 중 적어도 2개의 원소의 조합으로 이루어진 물질인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극은 W, WN, WCN, TiN 또는 TiAlN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 상변화 재료의 상변화를 유도하는 열을 발생시키는 열전극으로, W, WN, WCN, TiN 또는 TiAlN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극과 상기 제2절연층 사이에 개재된 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극의 상면과 전기 접속하는 상부 전극 접촉과, 상기 하부 전극의 상면과 전기 접속하는 하부 전극 접촉을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 그루브의 일 단면은 U-자형인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
11 11
기판 위에 제1절연층을 형성하는 단계;상기 제1절연층의 상면에 하방으로 그루브를 형성하는 단계;상기 그루브가 형성된 영역을 포함한 제1절연층 위에 전도성 재료를 증착하여 상기 그루브의 형상을 따라 하방으로 움푹 꺼진 오목부가 존재하는 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극이 형성하는 상기 오목부에 상변화 재료를 형성하는 단계;상기 하부 전극 및 상기 상변화 재료 위에 제2절연층을 형성하는 단계;상기 상변화 재료의 상면 중 일부가 노출되도록 상기 제2절연층에 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 상변화 재료의 상면과 접촉하는 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 그루브는 포토리소그래피 공정 및 습식 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 상변화 재료는 상기 오목부가 형성된 영역 내에 한정되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 하부 전극 위에 상기 상변화 재료 물질을 증착시킨 후, 상기 오목부가 형성된 영역 내에만 상기 상변화 재료가 남아있도록 연마 공정 및 습식 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 제2절연층에 개구부를 형성한 후, 스페이서 물질을 증착하고 비등방성 에칭을 통해 상기 상변화 재료의 상면 중 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 상부 전극 및 제2절연층 위에 제3절연층을 형성한 후, 포토리소그래피 및 식각 공정을 이용해 상기 상부 전극 및 하부 전극에 각각 전기 접속하는 상부 전극 접촉 및 하부 전극 접촉을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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