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투명전도성 산화물 전극 접촉 재료를 갖는 상변화 메모리 셀

  • 기술번호 : KST2014061293
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다. 상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020040098796 (2004.11.29)
출원인 한국과학기술연구원, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0651656-0000 (2006.11.23)
공개번호/일자 10-2006-0059649 (2006.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20061201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정병기 대한민국 서울특별시 성동구
2 정증현 대한민국 서울 성북구
3 강대환 대한민국 서울 관악구
4 이택성 대한민국 서울 노원구
5 김인호 대한민국 서울 노원구
6 이경석 대한민국 서울 성북구
7 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
8 안동호 대한민국 서울 관악구
9 김기범 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0560241-17
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-5096993-88
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0174749-15
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0370192-80
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0370197-18
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0460898-38
7 의견서
Written Opinion		 2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0545556-55
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0545583-88
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0730424-22
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622554-40
11 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0815575-23
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질-결정질 상태간, 결정질-결정질 상태간 또는 비정질-비정질 상태간 가역적인 상변태와 함께 이들 상태간의 전기적 비저항 차이를 정보의 기록, 소거 또는 재생에 이용하는 비휘발성 상변화 전기메모리에 있어서, 배선용 전극 층과 상변화 메모리재료 층 사이에 투명전도성 산화물계 재료로 구성된 전극 접촉층을 포함하며, 상기 투명전도성 산화물계 재료는 전기전도도가 102 Ω-1cm-1 이상이고 열전도도(κ)는 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물계 재료는 ZnO, CdO, Ga2O3, In2O3, Tl2O3, SnO2, PbO2, Sb2O5 중에서 선택되는 이원계 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 셀
3 3
제1항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물계 재료는 이원계 금속 산화물에 미량원소가 도핑된 물질로서, CdO:In, In2O3:Sn, SnO2:Sb, SnO2:Cl, SnO2:F, ZnO:X (X=In, Al, B, Ga, F, Y, Sc, Si, Ge, Ti, Zr, Hf); Cd2SnO4, Cd2InO4, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2In2O5, MgIn2O4, GaInO3, In4Sn3O12, CuAlO2, CuGaO2, CuInO2, AgAlO2, AgGaO2, AgInO2, SrCu2O2 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 삼원계 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 셀
4 4
제1항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물계 재료는 In1-xGa1+xO3(ZnO)k(k=1; -0
5 5
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6 5
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07851828 US 미국 FAMILY
2 US20060113573 US 미국 FAMILY
3 WO2006057541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2006113573 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7851828 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2006057541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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