맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

간접 가열 방식의 상변화 메모리 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014062605
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판, 상변화 물질 및 열전극을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 상변화 물질 양쪽에 읽기 전류 인가를 위한 별도의 전극을 갖고, 열전극이 상변화 물질의 위 또는 아래에 위치하여 상변화를 위한 열을 공급하며, 상기 상변화 물질과 열전극 사이에 열전도도가 우수한 절연체를 포함하여, 상변화 물질이 열전극으로부터 전기적으로 차단되고 열전극에서 발생한 열만 상변화 물질에 전달되는 것을 특징으로 하는 간접 가열 방식의 상변화 메모리 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020040118315 (2004.12.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0573380-0000 (2006.04.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.31)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 서울 노원구
2 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김영환 대한민국 서울 노원구
4 김춘근 대한민국 서울특별시 강남구
5 염민수 대한민국 서울 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-0632313-17
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0188559-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상변화 물질 및 열전극을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 상변화 물질 양쪽에 읽기 전류 인가를 위한 별도의 전극을 갖고, 열전극이 상변화 물질의 위 또는 아래에 위치하여 상변화를 위한 열을 공급하며, 상기 상변화 물질과 열전극 사이에 열전도도가 우수한 절연체를 포함하여, 상변화 물질이 열전극으로부터 전기적으로 차단되고 열전극에서 발생한 열만 상변화 물질에 전달되는 것을 특징으로 하는 간접 가열 방식의 상변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연체가 AlN인 상변화 메모리
3 3
제1항에 있어서, 리셋시의 상변화 물질 중 비정질로 변화하는 부분이 열전극의 넓이로 조절되어 상변화 메모리의 저항이 조절되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리
4 4
기판 위에 상변화 물질에 읽기 전류를 인가하기 위한 전극 물질(33)을 증착한 후, 양 쪽 끝부분만 남기고 나머지를 식각하여 양쪽에 두 개의 전극을 형성시키고, 상기 두 전극 사이에 상변화 물질을 증착한 후, 열전도도가 우수한 절연체를 증착하고, 열전극이 증착될 부분만을 남겨두고 식각해 내고, 그 위에 실리콘 절연막을 증착한 후, 상기 절연체의 열전극이 증착될 부분이 노출되도록 실리콘 절연막을 식각해 내고, 상기 노출된 절연체 부분에 열전극을 도포한 후, 열전극을 원하는 모양으로 패터닝하는 단계를 포함하는, 간접 가열식 상변화 메모리의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 절연체로서 AlN을 사용하는 제조 방법
6 5
제4항에 있어서, 상기 절연체로서 AlN을 사용하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.