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저항변화 기억소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015123639
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자연 산화막이 형성된 실리콘 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 박막을 포함하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물을 제공한다. 본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 박막 구조를 개선함으로써 집적화가 용이하고 On/Off 저항변화비율이 향상되어 ReRAM 소자의 응용성 및 활용성을 극대화시킬 수 있다.저항변화 기억소자(ReRAM), 실리콘 기판, On/Off 저항변화비율
Int. CL H01L 27/115 (2000.01)
CPC H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01)
출원번호/일자 1020050028225 (2005.04.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0724528-0000 (2007.05.28)
공개번호/일자 10-2006-0106035 (2006.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김달영 대한민국 서울 성북구
2 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 양민규 대한민국 서울 중랑구
4 박재완 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0178036-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0303653-13
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0522942-93
4 의견서
Written Opinion		 2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0522940-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622631-68
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0965901-44
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0082916-41
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0166780-76
9 의견서
Written Opinion		 2007.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0166779-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0275062-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자연 산화막(SiO2)이 형성된 일 방향으로 배향된 실리콘 기판과,상기 기판상에 형성된 SrRuO3로 이루어진 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는저항변화 기억소자용 박막 구조물
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 산화물 박막은 SrZrO3로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물
4 4
제3항에 있어서, 상기 페로브스카이트 산화물 박막에 도핑되는 금속은 Cr인 것을 특징으로 하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물
5 5
제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 산화물 박막에는 금속 물질이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물
8 8
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9 9
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10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.