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절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성되며, 상기 SOI기판에 스핀이 이동하는 1차원 전도 채널영역을 형성하기 위해 채널 영역 좌우의 SOI 기판 표면을 하부 절연막까지 식각하여 길이 0
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청구항1에 있어서, 상기 자성체는 스핀분극이 큰 자성금속으로서 Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe 중에서 선택되는 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 GaMnAs, InMnAs, GeMn, GaMnN, GaMnP, ZnMnO 중에서 선택되는 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 La(1-x)SrxMnO3(LSMO), CrO2 등을 포함하는 스핀분극 100%의 반금속(half metal)으로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 SOI 기판은 두께 50 ~ 400 nm의 SiO2 절연막 위에 50 ~ 300 nm 두께의 Si박막층으로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 1차원 전도채널을 SOI기판에 다수 형성하기 위하여 전자빔 감광제를 이용하여 전자선 식각법으로 패터닝하고, 전자빔 감광제를 마스크로 하여 아르곤 이온 밀링(Ar Ion milling)한 후, 상기 식각한 곳에 절연막을 채워놓고 감광제를 제거하여 채널을 형성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 20 nm ~ 50 ㎛ 범위의 폭과 100 nm ~ 500 ㎛ 길이를 갖는 자성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 간격은 10 nm ~ 5 ㎛ 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 서로 선폭이 다르게 형성되어 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 선폭과 길이가 같을 경우 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 목적으로 소스 또는 드레인 영역중 한곳에 반자성체 핀층/강자성체 자유층 구조의 변환 바이어스에 의해 스위칭 자계범위를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 선폭과 길이가 같을 경우 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 목적으로 각기 서로 다른 보자력을 갖는 자성체 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체와 SOI 반도체의 접촉저항이 오믹(Ohmic) 또는 쇼트키(schottky)인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자
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청구항 1에 있어서, 상기 자성체와 SOI반도체 사이에 0
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