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비파괴판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀 소자 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015120665
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비파괴판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, YMnO3 등 유전상수가 20 내지 30인 강유전체 재료를 사용하여 금속/ 강유전체/반도체 구조에서의 강유전체 박막을 형성한 게이트를 갖는 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하고 이 트랜지스터를 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀소자로 사용함에 의해, 동작전압의 상승, 전하주입(charge injection)현상, 문턱전압 변경, 누설전류증가, 메모리셀 이상동작, 강유전체의 포화분극지연등 종래 강유전체를 사용하는 경우에 발생되었던 문제점을 해소할 수 있도록 한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020000036003 (2000.06.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0363393-0000 (2002.11.20)
공개번호/일자 10-2002-0005218 (2002.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20021130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.06.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시송파구
2 박영균 대한민국 서울특별시서초구
3 김성일 대한민국 서울특별시동대문구
4 김익수 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0133106-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.02.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-2002-0039752-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0092366-82
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0152629-34
7 의견서
Written Opinion		 2002.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0152625-52
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0402280-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속/강유전체/반도체 구조의 게이트를 형성한 트랜지스터에 있어서, 상기 강유전체는 Sr2(Ta, Nb)2O7, Sr2Nb2O7, La2Ti2O7, YMnO3로 이루어지는 군에서 선택된 하나로서 20 ~ 30 범위의 유전율을 갖는 강유전체 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터

2 2

삭제
3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속/강유전체/반도체 구조에서의 금속은 Pt 또는 산화물 금속전극이며, 반도체는 Si, Al2O3/Si, Si/Al2O3/Si 중에서 선택된 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 산화물 금속전극은 RuO2, IrO2 중에서 선택된 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터

5 5

제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 중 어느 한 항에 의한 트랜지스터를 메모리 셀 소자로 사용하여 형성되는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자

6 6

제 3 항에 의한 트랜지스터를 메모리 셀 소자로 사용하여 형성되는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자

7 7

금속/강유전체/반도체 구조의 트랜지스터 게이트의 YMnO3 강유전체 박막을 형성하기 위하여, Y/Mn조성비를 21/15-18/14로 유지하게 하도록 Y/Mn mole농도를 조절하여 유기금속분해법으로 증착하는 단계를 포함하는, 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀소자 제조방법

8 8

금속/강유전체/반도체 구조의 트랜지스터 게이트의 YMnO3 강유전체 박막을 형성하기 위하여, 산소와 아르곤 혼합분위기에서 산소의 분압을 0-0

9 9

제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, YMnO3 박막을 증착한 후 질소 분위기에서 로 열처리로 1시간 이상 박막을 열처리하여 YMnO3 박막의 결정성을 c축으로 배향하게 하고 Y의 확산을 제어하여 Y2O3층의 두께를 제어하는 단계를 추가적으로 포함하는, 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀소자 제조방법

10 10

제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, YMnO3 박막을 증착한 후 질소 분위기에서 급속 열처리 방법으로 1-3분 동안 박막을 열처리하여 YMnO3 박막의 결정성을 c축으로 배향하게 하고 Y의 확산을 제어하여 Y2O3층의 두께를 제어하는 단계를 추가적으로 포함하는, 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.