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복층 블로킹 절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법및 이를 이용한 플래시 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015174088
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복층 블로킹 절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 기판 상에 터널링절연막을 형성하는 단계, 터널링절연막 상에 전하저장막을 형성하는 단계, 전하저장막 상에 블로킹절연막을 형성하는 단계 및 블로킹절연막이 형성된 기판을 저온고압열처리하여 전하저장막 및 블로킹절연막 사이에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 2가지 이상의 공정이 필요한 복층 블로킹 절연막 형성공정을 고압산소열처리를 통해 단순화시킴으로써 공정비용이 절감될 수 있으며, 동시에 블로킹절연막의 결함을 최소화시킬 수 있다. 복층 블로킹절연막, 옥시나이트라이드막, 저온고압열처리, HPA
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01)
출원번호/일자 1020080003326 (2008.01.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0934532-0000 (2009.12.21)
공개번호/일자 10-2009-0077395 (2009.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20091229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 장만 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0023704-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0082278-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0197927-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0412599-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0412584-52
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0412262-66
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0462661-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판상에 형성된 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막 상에 형성된 전하저장막; 상기 전하저장막 상에 형성된 블로킹 절연막; 및 상기 전하저장막 및 상기 블로킹 절연막 사이에 형성된 옥시 나이트라이드막을 포함하되, 상기 옥시 나이트라이드막은 상기 블로킹 절연막이 형성된 기판을 100℃ 내지 800℃ 온도 범위에서, 2 내지 100 기압으로 1 내지 60분간 저온고압열처리를 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 저온고압열처리는, 수증기 및 산소 중 적어도 어느 하나를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 저온고압열처리를 수행하기 이전에 800℃ 내지 1000℃ 온도 범위에서 1 내지 5분 동안 고온열처리 하는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자
5 5
기판상에 터널링절연막을 형성하는 단계; 상기 터널링절연막 상에 전하저장막을 형성하는 단계; 상기 전하저장막 상에 블로킹절연막을 형성하는 단계; 및 상기 블로킹절연막이 형성된 기판을 저온고압열처리하여 상기 전하저장막 및 상기 블로킹절연막 사이에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계를 포함하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 저온고압열처리 단계 이전에 800℃ 내지 1000℃ 온도 범위에서 1 내지 5분 동안 고온열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 저온고압열처리는, 100℃ 내지 800℃ 온도 범위에서, 2 내지 100 기압으로 1 내지 60분간 수행하는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 저온고압열처리는, 수증기 및 산소 중 적어도 어느 하나를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 복층 블로킹절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.