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저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메모리 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174084
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메모리의 제조방법이 개시된다. 비휘발성 메모리를 구성하는 게이트 구조물의 형성시에 2단계의 열처리가 수행된다. 2단계의 열처리는 고유전율 절연막들 간의 계면 결함 및 내부 결함을 치유한다. 또한, 2단계의 열처리는 고유전율 절연막과 다른 절연막 사이의 계면 결함 및 내부 결함도 치유한다. 이러한 2단계의 열처리는 고온 열처리와 저온 고압 열처리로 구성된다. 특히, 저온 고압 열처리 과정에서는 플로린 가스 또는 플로린을 포함한 가스를 이용한다. 2단계의 열처리를 거친 비휘발성 메모리는 특히 계면 결함의 치유에 의해 메모리의 프로그램, 읽기 및 소거 특성을 향상시킬 수 있다. 비휘발성 메모리, 저온 고압 열처리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01)H01L 21/28291(2013.01)H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020080010143 (2008.01.31)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0942343-0000 (2010.02.05)
공개번호/일자 10-2009-0084140 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 장만 대한민국 광주광역시 북구
3 이준명 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082368-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030341-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0274905-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0532924-64
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0532434-04
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0533073-93
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0529575-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 열산화막으로 터널링 유전막을 형성하는 단계; 상기 터널링 유전막 상부에 질화막을 형성하는 단계; 및 상기 질화막 상부에 고유전율(high-k)의 유전체로 블로킹 유전막을 형성하여 게이트 구조물을 형성하는 단계; 상기 게이트 구조물에 대하여 800℃ 이상의 온도에서 열처리를 수행하는 단계; 및 상기 열처리 이후에, 비활성 기체 분위기에서 순수한 플로린 또는 플로린을 포함한 가스를 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 터널링 유전막은, 상기 열산화막 상부에 고유전율의 유전체로 형성된 고유전율 절연막을 더 포함하고, 상기 터널링 유전막을 형성하는 단계 이후에, 800℃ 이상의 온도에서 열처리를 수행하는 단계; 및 상기 열처리 이후에, 비활성 기체 분위기에서 순수한 플로린 또는 플로린을 포함한 가스를 0
3 3
삭제
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 고유전율을 가지는 유전체는 Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2 및 YO2 중 적어도 하나의 물질을 포함한 것이거나, Hf Silicate, Zr Silicate, Y Silicate 또는 란탄 계열(Ln) 금속 Silicate인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 비활성 기체 분위기에서 순수한 플로린 또는 플로린을 포함한 가스를 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.