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기판을 안치하기 위한 기판 홀더를 갖는 나노 구조체 제조장치에 있어서, 상기 기판 홀더는 기판의 온도를 국소적으로 조절하기 위한 기판 온도 조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 국소적 온도 조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 온도 조절수단은,상기 기판 홀더의 내부에 형성된 통공과;상기 통공에 온도조절용 유체를 공급하기 위한 유체 주입관으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판의 국소적 온도조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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제 2 항에 있어서,상기 유체 주입관으로 주입되는 유체는,가스, 액체 또는 겔 중 어느 하나인 것을 특징으로 기판의 국소적 온도조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 온도 조절수단은,기판 홀더 하단에 설치된 전기 냉각기인 것을 특징으로 하는 기판의 국소적 조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 온도 조절수단에 의해 유지되는 기판의 온도는 100 ~ 700℃인 것을 특징으로 하는 기판의 국소적인 온도 조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 온도 조절수단으로 기판의 온도를 조절하여 박막, 나노로드, 나노 튜브, 포러스 중 어느 하나를 제조하는 것을 특징으로 하는 기판의 국소적 온도 조절이 가능한 나노 구조체 제조장치
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7
제 1 항의 나노 구조체 제조장치를 이용하여,기판 홀더 상부에 기판을 설치하고 용기에 Ⅲ-족 원소를 담는 단계와;전기로를 작동시켜 반응로 내부의 온도를 700 ~ 1200℃로 유지하는 단계와;상기 반응로 내부의 온도를 상기와 같이 유지한 상태에서, 기판온도 조절수단을 이용하여 기판의 온도를 나노 구조체 성장 온도로 유지하는 단계와;상기 용기를 통과하는 제1가스 주입관을 통해 불활성 가스를 주입하여 용기속의 Ⅲ-족 원소와 반응하도록 기판 상부로 투입하는 단계와; 제2가스 주입관을 통해 V-족 원소를 포함하는 가스를 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 V-족 원소를 포함하는 기체는 NH3인 것을 특징으로 하는 구조체 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 불활성 가스는 할리드 가스인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 Ⅲ-족 원소는 Ga인 것을 특징으로 하는 나노 구조체 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판의 온도는 100 ~ 700℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 외부 공기 투입구로 주입되는 유체의 양을 조절하여 기판의 온도를 박막, 나노로드, 나노튜브 또는 포러스 재료 중 어느 하나의 성장온도로 조절하여 박막, 나노로드, 나노튜브 또는 포러스 재료 중 어느 하나를 제조하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체 제조방법
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