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(a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계;(b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계;(c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계;(d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계;(e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및(g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노 와이어 배열 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노 와이어는 ZnO, GaN, SnO2, In2O3, V2O5 및 SiO2 중 어느 하나로 이루어지는 나노 와이어 배열 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 드레인 전극선, 상기 소스 전극선, 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극은 Ti,Al,Ag,Au 및 Pt 중 어느 하나로 이루어지는 나노 와이어 배열 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노 와이어 용액은 복수의 나노 와이어와 유기 용매가 혼합된 나노 와이어 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 유기 용매는 알코올 또는 이소프로필 알코올인 나노 와이어 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (b)단계 및 (e) 단계에서의 식각은E-빔 리소그래피 방법을 이용하여 이방성 식각을 하는 나노 와이어 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 드레인 전극선, 소스 전극선, 드레인 전극, 소스 전극 및 게이트 전극은 E-빔 리소그래피 방법을 이용하여 형성하는 나노 와이어 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 드레인 및 소스 전극선 사이의 나노 와이어 중 일부 영역을 추가로 식각하는 단계를 더 포함하는 나노 와이어 소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 식각은 E-빔 리소그래피 방법을 이용하여 이방성 식각을 하는 나노 와이어 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (d)단계의 상기 드레인 전극과 소스 전극은 상기 드레인 전극선과 소스 전극선에 각각 수직으로 연결되고 상기 드레인 전극선과 소스 전극선 간 거리의 절반을 넘는 길이를 가지는 나노 와이어 소자 제조방법
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