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귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2014011498
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 귀금속산화물, 귀금속물질 또는 할로겐화귀금속을 선구물질로 이용한 귀금속 나노와이어의 제조방법 및 귀금속 나노와이어를 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 반도체 또는 부도체 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 귀금속 단결정 나노와이어를 형성시키는 제조 방법 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 귀금속 나노와이어를 제공한다. 본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 귀금속 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 나노와이어가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도 고품질 귀금속 나노와이어인 장점을 가지며, 단결정 기판 상에 응집되어 있지 않은 균일한 크기의 귀금속 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 귀금속 산화물, 기상이송법, 기상합성법, 귀금속 나노와이어, Au, Pd, Ag |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
| CPC | B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070065030 (2007.06.29) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0906503-0000 (2009.06.30) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0001004 (2009.01.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090708) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.06.29) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김봉수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김종관 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
| 2 | 박창희 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
| 3 | 권오식 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0476433-86 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0019877-80 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0786098-55 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0586576-89 |
| 6 | 협의요구서 Request for Consultation |
2008.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0586577-24 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2009.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0030525-19 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0107624-14 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0107585-21 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.06.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0264748-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반응로의 전단부에 위치시킨 귀금속산화물, 귀금속물질 또는 할로겐화귀금속을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 반도체 또는 부도체 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 귀금속 단결정 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 불활성 기체는 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부 쪽으로 100 내지 600 sccm 흘려주는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 열처리는 2 내지 50 torr의 압력에서 열처리 되는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 반응로 전단부의 온도가 상기 반응로 후단부의 온도와 동일하거나 더 높은 온도이며, 상기 반응로 전단부의 온도에서 상기 반응로 후단부의 온도를 뺀 온도차가 0 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 귀금속산화물은 산화은, 산화금 또는 산화팔라듐에서 선택되고, 상기 귀금속물질은 은, 금 또는 팔라듐에서 선택된 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 불활성 기체는 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부 쪽으로 400 내지 600 sccm 흘려주는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 할로겐화귀금속(noble metal halide)은 플루오르화귀금속(noble metal fluoride), 염화귀금속(noble metal chloride), 브롬화귀금속(noble metal bromide) 또는 요오드화귀금속(noble metal iodide)에서 선택된 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 불활성 기체는 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부 쪽으로 100 내지 300 sccm 흘려주는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 선구물질은 전이금속물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 사파이어 기판 또는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 11 |
11 제 3항에 있어서, 상기 선구물질은 산화은, 은 또는 할로겐화은이며, 상기 귀금속 단결정 나노와이어는 Ag 나노와이어인 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 선구물질은 850 내지 1050℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 400 내지 600℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 13 |
13 제 3항에 있어서, 상기 선구물질은 산화금, 금 또는 할로겐화금이며 상기 귀금속 단결정 나노와이어는 Au 나노와이어인 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서, 상기 선구물질은 1000 내지 1200℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 900 내지 1000℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 15 |
15 제 3항에 있어서, 상기 선구물질은 산화팔라듐, 팔라듐 또는 할로겐화팔라듐이며, 상기 귀금속 단결정 나노와이어는 Pd 나노와이어인 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 선구물질은 1000 내지 1200℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 900 내지 1000℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 귀금속 단결정 나노와이어 제조방법 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP05318866 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP22532308 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | KR100952615 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 4 | US20100233426 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | WO2009005261 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 6 | WO2009005261 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 7 | WO2009005261 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2010532308 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP5318866 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2010233426 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 국민대학교 | 21세기 프론티어 연구개발 사업 | 단결정 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기소재 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0906503-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070629 출원 번호 : 1020070065030 공고 연월일 : 20090708 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090623 청구범위의 항수 : 16 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20140701 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2009년 07월 01일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2012년 06월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2013년 05월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0476433-86 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2008.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0019877-80 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0786098-55 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2008.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0586576-89 |
| 6 | 협의요구서 | 2008.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0586577-24 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2009.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0030525-19 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0107624-14 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0107585-21 |
| 10 | 등록결정서 | 2009.06.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0264748-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014011498 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 귀금속산화물, 귀금속물질 또는 할로겐화귀금속을 선구물질로 이용한 귀금속 나노와이어의 제조방법 및 귀금속 나노와이어를 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 반도체 또는 부도체 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 귀금속 단결정 나노와이어를 형성시키는 제조 방법 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 귀금속 나노와이어를 제공한다. 본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 귀금속 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 나노와이어가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도 고품질 귀금속 나노와이어인 장점을 가지며, 단결정 기판 상에 응집되어 있지 않은 균일한 크기의 귀금속 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 귀금속 산화물, 기상이송법, 기상합성법, 귀금속 나노와이어, Au, Pd, Ag |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전기, 자기, 광학 소자 및 센서 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1355049182 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-07791 |
| 연구과제명 | 단결정금속1차원나노구조를이용한신형전자기소재개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200210~201203 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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