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레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014020268
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계와, 상기 박리층을 박리 촉진용 도펀트로 도핑하는 단계와, 상기 박리층 상에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 지지층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계 및 상기 박리층에 레이저를 조사하여 상기 지지층의 하부에서 상기 모체 기판을 분리 제거하는 단계를 포함하는 플렉서블 소자의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 본 발명은 기존의 유리 기판 설비를 그대로 활용할 수 있고, 박리층의 분리가 용이하여 공정이 단순하므로, 제조 비용을 절감할 수 있다. 플렉서블, 플라스틱, 유기 소자, 박리층, 레이저 조사
Int. CL H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5024(2013.01) H01L 51/5024(2013.01) H01L 51/5024(2013.01) H01L 51/5024(2013.01) H01L 51/5024(2013.01)
출원번호/일자 1020080127092 (2008.12.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1010023-0000 (2011.01.14)
공개번호/일자 10-2010-0068661 (2010.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.15)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김기수 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0859868-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028135-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0262399-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0519123-73
6 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0547134-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계; 상기 박리층을 박리 촉진용 도펀트로 도핑하는 단계; 상기 박리층 상에 지지층을 형성하는 단계; 상기 지지층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계; 및 상기 박리층에 레이저를 조사하여 상기 모체 기판을 분리 제거하는 단계; 를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 모체 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 박리층은 GaN, ITO, GaOx 및 GaOxNy 중에서 선택되는 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 박리 촉진용 도펀트는 Co, Mn, Sn, In, Zn, B, Li, C, F, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Ti, V, Cr, Ni, Cu, Ga, Ge, As, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, Ta, W, Ir, Au, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 박리 촉진용 도펀트의 도핑 농도는 0
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 지지층은 Al, Fe, Ni, Ta, Ag, Cu, Au, W, Rh, Pt, Mg, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Pd, Ti, Cr, Co, In, Sn, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 반도체 소자층을 형성한 이후에, 상기 반도체 소자층 상에 봉지층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 모체 기판를 분리한 이후에, 상기 지지층의 하면에 플렉서블 기판을 부착하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
9 9
청구항 1에 있어서 상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터, 무기 박막 트랜지스터, 태양 전지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
10 10
모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계; 상기 박리층 상에 지지층을 형성하는 단계; 상기 지지층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계; 및 상기 박리층에 레이저를 조사하여 상기 지지층의 하부에서 상기 모체 기판을 분리 제거하는 단계; 를 포함하고, 상기 박리층의 형성 전에 상기 모체 기판 상에 박리 촉진층을 형성하는 단계 및 상기 박리층의 형성 후에 상기 박리층 상에 박리 촉진층을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 모체 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
12 12
청구항 10에 있어서, 상기 박리층은 GaN, ITO, GaOx 및 GaOxNy 중에서 선택되는 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
13 13
청구항 10에 있어서, 상기 박리 촉진층은 Co, Mn, Sn, In, Zn, B, Li, C, F, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Ti, V, Cr, Ni, Cu, Ga, Ge, As, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, Ta, W, Ir, Au, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
14 14
청구항 10에 있어서, 상기 박리 촉진층은 500Å 이하의 두께로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
15 15
청구항 10에 있어서, 상기 지지층은 Al, Fe, Ni, Ta, Ag, Cu, Au, W, Rh, Pt, Mg, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Pd, Ti, Cr, Co, In, Sn, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
16 16
청구항 10에 있어서, 상기 반도체 소자층을 형성한 이후에, 상기 반도체 소자층 상에 봉지층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
17 17
청구항 10에 있어서, 상기 모체 기판을 분리한 이후에, 상기 지지층의 하면에 플렉서블 기판을 부착하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
18 18
청구항 10에 있어서 상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터, 무기 박막 트랜지스터, 태양 전지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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