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기판 상에 상기 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 반-양자구조물(anti-quantum structure)을 형성하는 방법에 있어서,
(가) 상기 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 화합물 반도체를 구성하는 금속 및 비금속 원소를 각각 선택하는 단계;
(나) 1×10-9 torr 이하의 압력에서 상기 선택된 금속을 상기 기판에 주입하여 금속 방울을 형성하는 단계; 및
(다) 상기 선택된 비금속 원소를 상기 금속 방울이 형성된 기판에 주입하는 단계를 포함하고,
상기 단계 (다)에서 상기 기판의 온도를 상기 단계 (나)의 기판의 온도 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 단계 (나)에서 상기 기판의 온도를 조절하여 반-양자구조물의 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 단계 (다)에서, 상기 기판의 온도 및 상기 선택된 비금속 원소의 주입량 중 어느 하나 이상을 조절하여 반-양자구조물의 형태 또는 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 반-양자구조물은 나노 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 반-양자구조물은 양자점, 결합 양자점, 양자 고리, 양자 구멍 또는 양자 디스크와 동일한 형태를 갖는 것을 특징을 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 반-양자구조물은 알파벳 'C'의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 GaAs 기판이고, 상기 GaAs 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 화합물 반도체는 GaP, GaAsP 또는 GaN 인 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 InP 기판이고, 상기 InP 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 화합물 반도체는 GaAs, GaP, GaAsP 또는 GaN 인 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 Si 기판이고, 상기 Si 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 화합물 반도체는 GaP 또는 GaN 인 것을 특징을 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 Ge 기판이고, 상기 Ge 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 화합물 반도체는 GaAs, GaP, GaN 또는 GaAsP 인 것을 특징으로 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 GsAs 기판이고, 상기 선택된 금속은 갈륨(Ga)이고, 상기 선택된 비금속 원소는 인(P)인 것을 반-양자구조물의 제조 방법
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제 12항에 있어서,
상기 단계 (나)의 기판의 온도는 240 내지 300 ℃ 이고,
상기 단계 (다)의 기판의 온도는 75 내지 180 ℃ 인 것을 특징을 하는 반-양자구조물의 제조 방법
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