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유기 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의한 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2014058563
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 유기 발광 소자 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 제어 전극을 형성하는 단계와, 적어도 상기 제어 전극의 상면을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층의 적어도 일부분에 홀 수송층 패턴(hole transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와, 상기 홀 수송층 패턴 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 전자 수송층 패턴(electron transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와, 상기 홀 수송층 패턴과 상기 전자 수송층 패턴의 상부에 각각 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H05B 33/26 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020120013747 (2012.02.10)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1306192-0000 (2013.09.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.10)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조현덕 대한민국 경기 안양시 만안구
2 노정균 대한민국 서울 관악구
3 이현구 대한민국 서울 영등포구
4 이창희 대한민국 서울 송파구
5 홍용택 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0109687-19
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0113709-86
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080221-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418504-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0554889-96
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0610655-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계와,상기 기판 상에 제어 전극을 형성하는 단계와,적어도 상기 제어 전극의 상면을 덮는 절연층을 형성하는 단계와,상기 절연층의 적어도 일부분에 홀 수송층 패턴(hole transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와,상기 홀 수송층 패턴 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와,상기 유기 발광층 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 전자 수송층 패턴(electron transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와,상기 홀 수송층 패턴과 상기 전자 수송층 패턴의 상부에 각각 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
2 2
기판을 준비하는 단계와,상기 기판 상에 제어 전극을 형성하는 단계와,적어도 상기 제어 전극의 상면을 덮는 절연층을 형성하는 단계와,상기 절연층의 적어도 일부분에 전자 수송층 패턴(electron transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와,상기 전자 수송층 패턴 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와,상기 유기 발광층 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 홀 수송층 패턴(hole transport layer pattern)을 인쇄하여 형성하는 단계와,상기 홀 수송층 패턴과 상기 전자 수송층 패턴의 상부에 각각 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
3 3
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 수송층 패턴을 형성하는 단계는, C60를 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
4 4
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 홀 수송층 패턴을 형성하는 단계는, TIPS pentacene( 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene), P3HT(poly (3-hexylthiophene), 및 PBTTT(poly(2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-]thiophene) 중 적어도 어느 하나를 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
5 5
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층을 형성하는 단계는,인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 저분자 매트릭스 또는 고분자 매트릭스에 혼합한 물질을 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 인광 도펀트 물질은 Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridine)iridium) 이며, 상기 형광 도펀트 물질은 DCM2 (4-Dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetra-hydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-8-yl)vinyl]-4H-pyran) 및 C545T (10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H (1) benzopyrano (6,7,8-ij) quinolizin-11-one) 중 적어도 하나인 유기 발광 소자 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 저분자 매트릭스 물질은 CBP (4,4'-N,N'-dicarbazole-1,1'-biphenyl) 이며, 상기 고분자 매트릭스 물질은 PVK (poly (N??vinylcarbazole))인 유기 발광 소자 제조 방법
8 8
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층을 형성하는 단계는, 인쇄법을 이용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
9 9
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층을 형성하는 단계는, 진공 증착(evaporation), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 닥터 블레이드(doctor blade) 및 롤투롤 인쇄(roll to roll printing) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 박막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
10 10
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극은 적어도 상기 제1 전극에 비하여 일 함수(Work Function)가 낮은 물질로 형성하는 유기 발광 소자 제조 방법
11 11
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 금(Au), 은(Ag) 및 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide) 중 적어도 어느 하나를 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
12 12
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알칼리 금속(Alcali metal) 및 알칼리 토금속(Alcali earth metal) 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
13 13
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극, 제2 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계는, 인쇄법을 사용하여 수행하는 유기 발광 소자 제조 방법
14 14
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극, 제2 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계는, 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 진공증착(Evaporation) 중 어느 하나를 이용하여 박막을 형성하는 단계와 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
15 15
기판 상에 형성된 제어 전극;상기 제어 전극 상부 표면의 적어도 일부를 덮는 절연층;상기 제어 전극 상부에 상기 절연층을 개재하여 인쇄되어 형성된 홀 수송층 패턴;상기 홀 수송층 패턴의 적어도 일부 표면과 접촉하는 유기 발광층;상기 유기 발광층의 적어도 일부 표면과 접촉하도록 인쇄되어 형성된 전자 수송층 패턴;상기 홀 수송층 패턴 상부에 형성된 제1 전극; 및 상기 전자 수송층 패턴 상부에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자
16 16
기판 상에 형성된 제어 전극;상기 제어 전극 상부 표면의 적어도 일부를 덮는 절연층;상기 제어 전극 상부에 상기 절연층을 개재하여 인쇄되어 형성된 전자 수송층 패턴;상기 전자 수송층 패턴의 적어도 일부 표면과 접촉하는 유기 발광층;상기 유기 발광층의 적어도 일부 표면과 접촉하도록 인쇄되어 형성된 홀 수송층 패턴;상기 홀 수송층 패턴 상부에 형성된 제1 전극; 및 상기 전자 수송층 패턴 상부에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자
17 17
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 수송층 패턴은, C60으로 형성된 유기 발광 소자
18 18
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 홀 수송층 패턴은, TIPS pentacene( 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene), P3HT(poly (3-hexylthiophene), 및 PBTTT(poly(2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-]thiophene) 중 적어도 어느 하나인 유기 발광 소자
19 19
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층은, 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 저분자 매트릭스또는 고분자 매트릭스에 혼합한 물질인 유기 발광 소자
20 20
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층은, 인쇄되어 형성된 유기 발광 소자
21 21
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극은 적어도 상기 제1 전극에 비하여 일 함수(Work Function)가 낮은 물질로 형성된 유기 발광 소자
22 22
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극은, 금(Au), 은(Ag) 및 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide) 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성된 유기 발광 소자
23 23
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극은, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알칼리 금속(Alcali metal) 및 알칼리 토금속(Alcali earth metal) 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성된 유기 발광 소자
24 24
제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극, 제2 전극 중 적어도 어느 하나는, 인쇄법으로 형성된 유기 발광 소자
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2 US09818965 US 미국 FAMILY
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4 US20160072090 US 미국 FAMILY

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3 US9240570 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9818965 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 IT산업원천기술개발사업 플렉시블 복합 기능 유기 전자 소자 기반 기술 개발