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금 나노선 어레이 및 그 응용

  • 기술번호 : KST2014067337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 단결정의 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판을 형성하는 단계; 금속 팁의 단부에 전도성 접착제를 부착하는 단계; 상기 전도성 접착제가 부착된 금속 팁의 단부를 기판상에 형성된 전이금속 나노선의 상단부 또는 전이금속 나노판의 단부와 접촉함으로써, 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판을 기판으로부터 분리하여 상기 금속 팁에 부착시키는 단계; 및 상기 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판이 결합된 금속 팁의 금속 표면이 노출되지 않도록 절연체로 코팅하는 단계;를 포함하는, 전이금속 나노 전극의 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 전이금속 나노 전극에 관한 것이다.
Int. CL G01Q 60/60 (2010.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/009(2013.01) B82B 3/009(2013.01) B82B 3/009(2013.01)
출원번호/일자 1020120039310 (2012.04.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1358989-0000 (2014.01.28)
공개번호/일자 10-2013-0116695 (2013.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.16)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전 유성구
2 강미정 대한민국 대전광역시 유성구
3 강태준 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 이시근 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0300959-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592485-81
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0894992-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0894990-85
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0058649-25
7 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0080019-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 전이금속 증기를 공급하여 단결정의 전이금속 나노선 또는 단결정의 전이금속 나노판을 에피택셜(epitaxial) 성장시키는 단계를 포함하는 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판을 형성하는 단계;금속 팁의 단부에 전도성 접착제를 부착하는 단계;상기 전도성 접착제가 부착된 금속 팁의 단부를 기판상에 형성된 전이금속 나노선의 상단부 또는 전이금속 나노판의 단부와 접촉함으로써, 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판을 기판으로부터 분리하여 상기 금속 팁에 부착시키는 단계; 및상기 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판이 부착된 금속 팁의 금속 표면이 노출되지 않도록 절연체로 코팅하는 단계;를 포함하는, 전이금속 나노 전극의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 전이금속 나노선은 상기 기판에 대해 수직한 방향으로 성장하는 것을 특징으로 하는, 전이금속 나노 전극의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 기판은 c-cut 사파이어 기판이고, 상기 전이금속 나노선의 길이는 5 내지 100μm이고, 직경은 10 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 전극의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 전이금속은 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 구리에서 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는, 전이금속 나노 전극의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전이금속 나노판은 상기 기판에 대해 수직하거나 비스듬한 방향으로 성장하는 것을 특징으로 하는, 전이금속 나노판 전극의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판은 a-, m-, 또는 r-cut 사파이어 기판이고, 상기 전이금속 나노판의 길이와 폭은 각각 5 내지 100μm이고, 두께는 10 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 전극의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속 팁은 금, 은, 백금, 구리, 텅스텐 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 합금으로 구성되는 금속팁인 것을 특징으로 하는, 금 나노선 전극의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 입자 형태의 은이 열경화성, 열가소성, 또는 자외선 경화성 수지에서 선택되는 어느 하나에 배합되어 있는 혼합물인 것을 특징으로 하는, 금 나노선 전극의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 금속 팁에 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판을 부착하는 단계는 피에조일렉트릭 스테이지로 구성된 나노 조작기(nanomanipulator)를 이용하여 부착시키는 것을 특징으로 하는, 전이금속 나노 전극의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 금속 표면을 절연체로 코팅하는 단계에서 사용되는 절연체는 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 용제에 녹인 바니시, 또는 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 용제에 녹이고 이에 안료를 포함하는 바니시, 또는 자외선에 의해 경화되는 절연성 접착제에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 전극의 제조 방법
12 12
제1항, 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 전이금속 나노 전극
13 13
제12항에 있어서, 상기 전이금속 나노 전극은 주사전기화학현미경(scanning electrochemical microscope; SECM)용, 약물 전달용, 전기화학용 전극 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 전극
14 14
금속 팁; 및 전이금속 증기를 사파이어 기판상에 공급하여 에피택셜(epitaxial) 성장시킴으로서 얻어지고 상기 금속 팁의 단부에 부착되는, 단결정 구조의 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판;을 포함하여 이루어지며, 상기 전이금속 나노선 또는 전이금속 나노판은 전도성 접착제에 의해 금속 팁에 부착되며, 상기 금속 팁은 그 표면이 노출되지 않도록 절연체로 코팅된 것을 특징으로 하는, 전이금속 나노 전극
15 15
제14항에 있어서, 상기 전이금속 나노전극이 전이금속 나노선을 포함하는 경우에 그 길이는 5 내지 100 μm이고 직경은 10 내지 200 nm 이며, 상기 전이금속 나노전극이 전이금속 나노판을 포함하는 경우에, 길이와 폭은 각각 5 내지 100μm이고, 두께는 10 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 전극
16 16
텅스텐 팁; 및 금 또는 은 증기를 사파이어 기판상에 공급하여 에피택셜(epitaxial) 성장시킴으로서 얻어지고 상기 텅스텐 팁의 단부에 부착되는, 단결정 구조의 금, 또는 은 또는 이들의 합금으로 이루어진 나노선;을 포함하여 이루어지는 전이금속 나노선 전극으로서, 상기 전이금속 나노선 전극은 전도성 접착제가 부착된 텅스텐 팁을 상기 전이금속 나노선에 접촉함으로써 기판으로부터 분리하여 상기 텅스텐 팁에 부착시킨 후, 상기 텅스텐 팁은 그 표면이 노출되지 않도록 절연체로 코팅하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노선 전극
17 17
텅스텐 팁; 및 금 또는 은 증기를 사파이어 기판상에 공급하여 에피택셜(epitaxial) 성장시킴으로서 얻어지고 상기 텅스텐 팁의 단부에 부착되는, 단결정 구조의 금, 또는 은 또는 이들의 합금으로 이루어진 나노판;을 포함하여 이루어지는 전이금속 나노판 전극으로서, 상기 전이금속 나노판 전극은 전도성 접착제가 부착된 텅스텐 팁을 상기 전이금속 나노판에 접촉함으로써 기판으로부터 분리하여 상기 텅스텐 팁에 부착시킨 후, 상기 텅스텐 팁은 그 표면이 노출되지 않도록 절연체로 코팅하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노판 전극
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 21세기프론티어사업 단결정 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재 개발
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