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가열층으로 사용되는 제1전극; 상기 제1전극과 측방향으로 대향되는 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 도입되고 적어도 상기 제1전극의 측면에 접촉하는 상변화 물질로 이루어진 메모리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 동일한 물질로 이루어지고 대등한 두께를 가지며 상호간에 대등한 높이 수준에 위치하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 메모리층 방향으로 돌출되어 상기 제1전극의 선폭에 비해 좁은 선폭을 가지고 상기 메모리층과 측면이 접촉하는 좁은 선폭 부분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1절연층 상에 전극층 패턴을 형성하는 단계; 상기 전극층 패턴 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 상기 제2절연층 및 상기 전극층 패턴을 관통하여 상기 전극층 패턴을 가열층으로 이용될 제1전극 및 상기 제1전극에 대향되는 제2전극으로 분리하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀 내에 상기 콘택홀에 의해서 노출되는 상기 제1전극의 측면 및 상기 제2전극의 측면에 접촉하는 메모리층을 상변화 물질로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 전극층 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1절연층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 상기 전극층 패턴의 선폭이 상기 제1전극 쪽에 상대적으로 좁은 선폭 부분이 형성되도록 상기 전극층을 패터닝하는 단계를 포함하고, 상기 콘택홀은 상기 좁은 선폭 부분의 단면이 상기 콘택홀 측벽에 노출되게 형성되어 상기 좁은 부분의 단면이 상기 메모리층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 전극층 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1절연층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 상기 전극층 패턴의 선폭이 상기 제1전극 쪽에 상대적으로 좁은 선폭 부분이 형성되도록 상기 전극층을 패터닝하는 단계를 포함하고, 상기 콘택홀은 상기 좁은 선폭 부분의 단면이 상기 콘택홀 측벽에 노출되게 형성되어 상기 좁은 부분의 단면이 상기 메모리층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조 방법
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