[KST2015073802][한국전자통신연구원] |
스택구조D램셀의제조방법 |
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[KST2015076993][한국전자통신연구원] |
강유전체로서 바륨-스트론튬-나이오븀-산화물을 사용한 강유전체 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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[KST2015078967][한국전자통신연구원] |
강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 게이트 스택 제조방법 |
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[KST2015083203][한국전자통신연구원] |
반도체 메모리 소자 및 그 구동방법 |
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[KST2015073712][한국전자통신연구원] |
반도체장치의캐패시터제조방법 |
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[KST2015074489][한국전자통신연구원] |
이종접합측면쌍극자트랜지스터장치의제조방법 |
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[KST2015078355][한국전자통신연구원] |
강유전체 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015079123][한국전자통신연구원] |
저 전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015073498][한국전자통신연구원] |
스택구조의D램셀의제조방법 |
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[KST2015073535][한국전자통신연구원] |
복합형반도체소자의구조및제조방법 |
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[KST2015075222][한국전자통신연구원] |
광게이트 트랜지스터를 이용한 MUX 및 DEMUX 회로 |
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[KST2015076800][한국전자통신연구원] |
트렌치 게이트 구조를 갖는 전력소자 및 그 제조방법 |
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[KST2015073512][한국전자통신연구원] |
소오스매립형다이나믹반도체기억소자 |
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[KST2015073803][한국전자통신연구원] |
스택구조의D램셀과그제조방법 |
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[KST2015074325][한국전자통신연구원] |
다이나믹램셀의제조방법 |
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[KST2015082178][한국전자통신연구원] |
급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전압조정 시스템 |
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[KST2015073490][한국전자통신연구원] |
폴리실리콘측벽전극을갖는스택구조의D램셀과그제조방법 |
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[KST2015074535][한국전자통신연구원] |
티형에미터를이용한이종접합바이폴라트랜지스터의제조방법 |
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[KST2015077450][한국전자통신연구원] |
스트론튬 바륨 비스무스 탄탈륨 산화물 강유전체막 및 그형성 방법과 스트론튬 바륨 비스무스 탄탈륨 산화물강유전체막을 구비하는 커패시터 |
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[KST2015081569][한국전자통신연구원] |
스크립트 기반의 애니메이션을 이용한 전자 회로 설계 검증 방법 |
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[KST2015083785][한국전자통신연구원] |
유기 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
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[KST2015074142][한국전자통신연구원] |
입계절연형반도체자기조성물및그제조방법 |
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[KST2015074621][한국전자통신연구원] |
금속박막으로구성된전자소자의삼차원집적회로 |
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[KST2015075204][한국전자통신연구원] |
DRAM셀의 구조 및 그 제조방법 |
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[KST2015076101][한국전자통신연구원] |
반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
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[KST2015080803][한국전자통신연구원] |
관통전극 구조를 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그제조방법 |
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[KST2015081357][한국전자통신연구원] |
티올계 정착기를 가지는 분자 전자소자용 화합물 및 그제조 방법과 그 화합물로부터 얻어지는 분자 활성층을가지는 분자 전자소자 |
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[KST2015073559][한국전자통신연구원] |
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[KST2015073725][한국전자통신연구원] |
수직트랜지스터를갖는스택-트렌치구조의D램셀과그제조방법 |
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[KST2015073934][한국전자통신연구원] |
에스오아이디램셀의제조방법 |
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