맞춤기술찾기

이전대상기술

트랜지스터의파괴를방지하는반도체집적회로

  • 기술번호 : KST2015094400
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전압용 CMOS 반도체 집적회로에서 트랜지스터의 파괴전압(breakdown voltage)을 극복하기 위한 것이다.집적회로의 공정기술이 발달하고 사용전압이 저전압으로 낮아짐에 따라 트랜지스터의 절연막의 두께가 얇아지고, 소스와 드레인간의 거리가 짧아지고, 확산영역의 농도가 높아지는데 이러한 경향들은 각각 트랜지스터의 게이트와 벌크 사이 및 소스와 드레인 사이의 파괴전압을 낮춘다.따라서 안티퓨즈(anti-fuse)를 프로그램하기 위한 높은 전압을 공급하는 트랜지스터에서는 파괴전압 이상의 전압이 인가되므로 이를 피하기 위해서는 게이트와 벌크 사이의 절연막의 두께를 두껍게 해야 하고, 소스와 드레인 사이의 거리를 넓혀야 한다.본 발명에서는 이를 위해서 프로그램 행과 열을 선택하는 회로의 게이트와 벌크 사이에 최대 프로그램 전압의 절반에 가까운 전압이 인가되도록 회로적으로 구성되어 있다.
Int. CL H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 27/11206(2013.01)H01L 27/11206(2013.01)
출원번호/일자 1019940031732 (1994.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0137582-0000 (1998.02.10)
공개번호/일자 10-1996-0019710 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.29)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조한진 대한민국 대전직할시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143117-79
2 출원심사청구서
Request for Examination
1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143119-60
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143118-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143120-17
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143121-52
6 등록사정서
Decision to grant
1998.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0079888-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 집적회로로서, 수직 트랙, 수평 트랙, 상기 수직 트랙 및 수평 트랙이 교차하는 지점에 연결되어 있으며 소정의 전압이 양단에 인가되면 단락되는 스위치 소자, 소정의 프로그램 전압을 발생하는 수직 전압공급기, 소정의 수평 프로그램 전압을 발생하는 수평 전압 공급기, 상기 수직 프로그램 전압을 상기 수직 트랙에 공급하는 것을 제어하는 제1, 제2수직 전압 변환기, 상기 수평 프로그램 전압 상기 수평 트랙에 공급하는 것을 제어하는 제1, 제2수평 전압 변환기를 구비하는 반도체 집적회로에 있어서, 게이트는 상기 제1수직 전압 변환기에 연결되고, 소스는 상기 수직 전압 공급기에 연결되며, 벌크에는 프로그램 전압 VPP가 공급되는 제1트랜지스터와, 게이트는 제2수직 전압 변환기가 연결되고, 소스는 상기 제1트랜지스터의 드레인이 연결되고, 드레인은 상기 수직 트랙에 연결되며, 벌크에는 VPP가 공급되는 제2트랜지스터와, 게이트는 상기 제1수평 전압 변환기에 연결되고, 드레인은 상기 수평 전압 공급기에 연결되며, 벌크에는 접지전압 GND가 공급되는 제3트랜지스터와, 게이트는 제2수평 전압 변환기와 연결되고, 드레인은 상기 제3트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스는 상기 수평트랙에 연결되며, 벌크에는 GND가 공급되는 제4트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로

2 2

제1항에 있어서, 상기 수직 프로그램 전압은 VPP와 VPP/2 사이에 있는 전압이며, 상기 수평 프로그램 전압은 GND와 VPP/2 사이에 있는 전압인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2수직 전압기 회로는 PMOS와 NMOS로 이루어져 있는 제1인버터 수단과 제2인버터 수단을 구비하는데, 상기 제1인버터 수단의 PMOS의 소스와 벌크에는 상기 VPP보다 작으며 VPP/2보다는 큰 값을 갖는 전압원 VG가 연결되고, 상기 제2인버터 수단은 NMOS의 소스와 벌크에는 상기 VG보다는 작으며 실질적으로 VPP/2와 동일한 전압원 VGA가 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2수평 전압 변환기 회로는 PMOS와 NMOS로 이루어져 있는 제3인버터 수단과 제4인버터 수단을 구비하는데, 상기 제3인버터 수단의 PMOS의 소스와 벌크에는 VPP/2와 실질적으로 동일한 값을 갖는 전압 VGB가 연결되고, 상기 제4인버터 수단을 PMOS의 소스와 벌크에는 상기 VGB가 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.