요약 | 본 발명은 고전압 소자의 항복 전압 및 온(On) 저항을 개선하고 제조 공정을 단순화하기 위한 역 방향 웰 구조를 갖는 전력 집적회로 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 일반적으로 고전압 소자에 있어서, 드레인에 인가된 고전압을 소자 내부 및 외부의 낮은 배경 전압에 대하여 전압 항복 없이 지탱시키는 것으로 p형 기판 상에 비저항이 높은 에피층을 두껍게 성장시킨 후, 이 에피층에 농도가 낮고 접합 깊이가 깊은 웰과 농도가 낮은 드리프트 영역의 접합을 형성하는 방법이 이용되었다. 그러나, 종래의 방법은 깊은 웰의 표면 농도가 불필요하게 높아 고전압 소자의 표면 농도가 낮은 드리프트 영역을 만들기가 어렵고, 또한 깊은 웰은 p형 기판으로 갈수록 농도가 낮아져 소자 동작시 펀치쓰루우가 쉽게 일어나는 문제점이 발생하였다. 따라서 본 발명은 p형 기판에 매몰층을 형성한 후 에피층을 형성시키고, 매몰층으로부터 상,하로 불순물을 확산하는 방법을 사용함으로서, 깊은 웰의 표면 농도가 불필요하게 높아지는 것을 방지할 수 있어 농도가 낮은 드리프트 영역의 n형 또는 p형 깊은 접합을 만들기가 용이하며, 드리프트 하부 영역의 웰 농도가 고농도의 구조로 이루어지므로 소자 동작시 드리프트 영역의 RESURF 효과를 극대화할 수 있고, 고전압 소자의 드리프트 영역과 p형 기판과의 펀치쓰루우를 방지할 수 있다. 역 방향 웰 구조, 전력 집적회로 소자, 매몰층, 에피층 |
---|---|
Int. CL | H01L 27/10 (2006.01) |
CPC | H01L 21/823892(2013.01) H01L 21/823892(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019970051196 (1997.10.06) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0273132-0000 (2000.09.01) |
공개번호/일자 | 10-1999-0030780 (1999.05.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20001201) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.10.06) |
심사청구항수 | 3 |