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역방향웰구조를갖는전력집적회로소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015096573
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전압 소자의 항복 전압 및 온(On) 저항을 개선하고 제조 공정을 단순화하기 위한 역 방향 웰 구조를 갖는 전력 집적회로 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 일반적으로 고전압 소자에 있어서, 드레인에 인가된 고전압을 소자 내부 및 외부의 낮은 배경 전압에 대하여 전압 항복 없이 지탱시키는 것으로 p형 기판 상에 비저항이 높은 에피층을 두껍게 성장시킨 후, 이 에피층에 농도가 낮고 접합 깊이가 깊은 웰과 농도가 낮은 드리프트 영역의 접합을 형성하는 방법이 이용되었다. 그러나, 종래의 방법은 깊은 웰의 표면 농도가 불필요하게 높아 고전압 소자의 표면 농도가 낮은 드리프트 영역을 만들기가 어렵고, 또한 깊은 웰은 p형 기판으로 갈수록 농도가 낮아져 소자 동작시 펀치쓰루우가 쉽게 일어나는 문제점이 발생하였다. 따라서 본 발명은 p형 기판에 매몰층을 형성한 후 에피층을 형성시키고, 매몰층으로부터 상,하로 불순물을 확산하는 방법을 사용함으로서, 깊은 웰의 표면 농도가 불필요하게 높아지는 것을 방지할 수 있어 농도가 낮은 드리프트 영역의 n형 또는 p형 깊은 접합을 만들기가 용이하며, 드리프트 하부 영역의 웰 농도가 고농도의 구조로 이루어지므로 소자 동작시 드리프트 영역의 RESURF 효과를 극대화할 수 있고, 고전압 소자의 드리프트 영역과 p형 기판과의 펀치쓰루우를 방지할 수 있다. 역 방향 웰 구조, 전력 집적회로 소자, 매몰층, 에피층
Int. CL H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 21/823892(2013.01) H01L 21/823892(2013.01)
출원번호/일자 1019970051196 (1997.10.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0273132-0000 (2000.09.01)
공개번호/일자 10-1999-0030780 (1999.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20001201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
2 이대우 대한민국 대전광역시 유성구
3 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
4 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
5 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
6 노태문 대한민국 대전광역시 유성구
7 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.10.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0162320-35
2 출원심사청구서
Request for Examination
1997.10.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0162321-81
3 특허출원서
Patent Application
1997.10.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0162319-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0376806-46
5 의견서
Written Opinion
2000.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-5040060-87
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.02.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5040061-22
7 등록사정서
Decision to grant
2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0136887-09
8 FD제출서
FD Submission
2000.09.01 수리 (Accepted) 2-1-2000-5140465-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고전압 PMOS 소자가 형성될 부분의 p형 기판에 n-매몰층을 형성하고, 고전압 NMOS 소자 및 CMOS 소자가 형성될 부분의 P형 기판에 p-매몰층을 형성한 후 산화막을 모두 제거하고, 세척한 후에 웨이퍼 전면에 n-에피층을 성장시키는 단계와,

상기 p-매몰층상에 성장된 상기 n-에피층 부분에 p형 불순물 이온을 주입한 후 열처리하여 깊은 p-웰을 형성하는 단계와,

상기 n-매몰층상에 성장된 상기 n-에피층 부분에 고전압 PMOS 소자를 형성하고, 상기 깊은 p-웰 부분에 고전압 NMOS 소자 및 CMOS 소자를 형성하는 것을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 역 방향 웰 구조를 갖는 전력 집적회로 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 깊은 p-웰은 하부 쪽으로 갈수록 불순물 농도가 높은 것을 특징으로 하는 역 방향 웰 구조를 갖는 전력 집적회로 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 n-매몰층 및 그 상부의 n-에피층은 상기 고전압 PMOS 소자의 깊은 n-웰로 사용되는 것을 특징으로 하는 역 방향 웰 구조를 갖는 전력 집적회로 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.