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강유전체 트랜지스터 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015096576
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 특히 하나의 트랜지스터로 하나의 메모리 셀의 구성이 가능한 강유전체 트랜지스터 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명은 동작 전압을 감소시키며, 우수한 강유전체 특성을 확보할 수 있는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위하여 본 발명은 강유전체 박막을 게이트 유전막으로 채택한 비파괴 독출형 전계효과 트랜지스터를 단위 셀로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 구현함에 있어서, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/고유전체 박막을 채용하여 기판과의 계면 특성을 향상시키고 불순물의 상호 확산을 방지하며 동작 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/전도성 산화막을 채용하여 강유전체 박막의 결정 특성 및 피로(fatigue) 특성을 개선하였다. 이와 더불어 본 발명은 상기한 게이트 구조를 덮는 보호막을 채용하여 강유전체 박막을 이루는 원소의 휘발에 의한 소자의 열화를 방지하였다.
Int. CL H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1019980016541 (1998.05.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0084635 (1999.12.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.05.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원재 대한민국 대전광역시 유성구
2 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구
3 유종선 대한민국 대전광역시 유성구
4 이진효 대한민국 대전광역시 서구
5 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052436-65
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052437-11
3 특허출원서
Patent Application		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052435-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0152094-85
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5262078-48
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0254187-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상부에 제공되는 강유전체 박막과, 상기 강유전체 박막 상부에 제공되는 게이트 전극을 포함하는 게이트 구조를 가진 강유전체 트랜지스터 메모리 소자에 있어서,

상기 반도체 기판 상에 제공되며 확산 베리어 특성을 가진 절연막과,

동작 전압을 감소시키기 위하여 상기 절연막 상부에 제공되는 고유전체 박막을 더 포함하여 이루어진 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 강유전체 박막을 이루는 원소의 휘발을 막기 위하여 상기 게이트 구조를 덮는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 절연막이,

실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미나 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 고유전체 박막이,

탄탈륨 산화막, 타이타늄 산화막, 지르코니아, 쎄리아 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

5 5

제 2 항에 있어서, 상기 보호막이,

실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미나 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

6 6

반도체 기판 상부에 제공되는 강유전체 박막과, 상기 강유전체 박막 상부에 제공되는 게이트 전극을 포함하는 게이트 구조를 가진 강유전체 트랜지스터 메모리 소자에 있어서,

상기 반도체 기판 상에 제공되며 확산 베리어 특성을 가진 절연막과,

상기 절연막 상부에 제공되는 전도성 산화막을 더 포함하여 이루어진 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 강유전체 박막을 이루는 원소의 휘발을 막기 위하여 상기 게이트 구조를 덮는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

8 8

제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 절연막이,

실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미나 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

9 9

제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 전도성 산화막이,

루테늄 산화막 또는 이리듐 산화막 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

10 10

제 7 항에 있어서, 상기 보호막이,

실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미나 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.