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제3d도와 같이 반도체 기판(P-기판)상에 트렌치를 형성한 후 P+영역과 캐패시터 산화물을 트렌치 벽면에 형성시키고, N+-폴리를 매립하여 정보저장용 캐패시터를 트렌치 내부에 형성하고, 표면에 필드산화물을 성장시킨 다음 선택적 결정성장 방법을 이용하여 에피택셜층(P-epi)을 형성한 다음 상기 에피층에 스위칭용 트렌지스터를 구성하고, 이때 트랜지스터의 n+-S/D과 캐패시터의 저장전극 n+-폴리가 자동적으로 연결되는 것을 특징을 하는 트렌치 에피택셜 트렌지스터 셀구조
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반도체 기판(P-기판)상에 트렌치 캐패시터를 형성하고, 소자격리용 필드 산화물을 성장시킨 후, 선택적 결정 성장 방법에 의하여 에피택셜층(P-epi)을 형성하는 공정과, 에피택셜층(P-epi)에 MOS 트렌지스터를 제조하는 공정과, 트렌치 캐패시터의 저장전극 N+-폴리와 N+-S/D을 연결시키는 공정과, 상기 P-epi층에 N-well 형성공정과, P+-S/D 형성공정에 의한 CMOS 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 에피택셜 트렌지스터 셀의 제조방법
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