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고주파용다중접합패키지및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111587
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공질 실리콘기판을 이용한 고주파용 다중접합 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 다공질 실리콘기판에 개별칩과 전송선을 상호배선 연결하여 고주파용 회로를 구성한 다중접합 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고주파용 다중접합 패키지의 제조방법은, 실리콘기판을 양극화반응에 의해 다공질 실리콘층을 형성시켜 다공질 실리콘기판으로 변형시키는 다공질 실리콘층 형성단계; 전기 단계에서 얻어진 다공질 실리콘기판의 다공질 실리콘층에 열을 가해 실리콘 산화막층으로 변형시키는 다공질 실리콘층 산화단계; 및, 전기 단계에서 얻어진 실리콘 산화막이 형성된 다공질 실리콘기판의 표면에 적어도 1개의 전송선 및 개별칩들을 구성하여 다중접합 패키지를 형성하는 패키징단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 고주파용 다중접합 패키지는, 상 단면에 다공질 실리콘에 의한 두꺼운 실리콘 산화막층이 형성된 다공질 실리콘 기판; 전기한 다공질 실리콘기판의 상단면에 구성된 적어도 1개의 개별칩 및, 전기한 다공질 실리콘기판의 상단면에 구성되며 각각의 개별칩을 전기적으로 연결하기 위한 전송선을 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02255(2013.01) H01L 21/02255(2013.01) H01L 21/02255(2013.01)
출원번호/일자 1019950003326 (1995.02.21)
출원인 주식회사맥암, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0173367-0000 (1998.10.29)
공개번호/일자 10-1996-0032696 (1996.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.02.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사맥암 대한민국 서울 강남구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 대전광역시유성구
2 남충모 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사맥암 대한민국 서울시강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0014977-59
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0014976-14
3 특허출원서
Patent Application		 1995.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0014975-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0007536-67
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0014978-05
6 의견서
Written Opinion		 1998.05.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0014979-40
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0007537-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다공질 시리콘 기판의 다공질 실리콘층에 열을 가해 실리콘 산화막층으로 변형시키는 다공질 실리콘층 산화단계 및 전기 단계에서 얻어진 실리콘 산화막이 형성된 다공질 실리콘 기판의 표면에 적어도 1개의 전송선 및 개별칩들을 구성하여 다중접합 패키지를 형성하는 패키징단계로 이루어진 고주파용 다중접합 패키지를 제조하는 데 있어서, 상기 다공질 실리콘 기판의 다공질 실리콘층은 실리콘 기판을 양극화 반응에 의해 변형시킨 것임을 특징으로 하는 고주파용 다중접합 패키지의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 개별칩은 플립칩에 의해 다공질 실리콘 기판의 표면에 구성하는 것을 특징으로 하는 고주파용 다중접합 패키지의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.