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규화철코발트 나노와이어의 제조방법 및 이로부터 제조된규화철코발트 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015112714
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 규화철코발트 나노와이어의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화철코발트 나노와이어에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 할로겐화철 및 할로겐화코발트의 혼합물을 선구물질로 사용하고, 상기 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 규화철코발트(Fe1-xCoxSi) 나노와이어는 구조적으로 불순물이 포함되지 않은 고순도 및 내부 결함 없는 고품질의 입방(cubic) B20구조 단결정 나노와이어이며, Fe, Co 및 Si가 완전고용체로 균질하게 분포되어 있다. 물성적으로는 헬리칼 스핀 정렬(helical spin order)을 가지는 강자성체(ferromagnetic material)이며, 큐리 온도(Tc; Curie temperature)이하에서 양(positive)의 자기저항(magnetoresistance)을 갖는 특징이 있다. 규화철코발트(Fe(1-x)CoxSi), 나노와이어(nanowire), 헬리칼 스핀(helical spin order), 자기저항(magnetoresistance)
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01)
출원번호/일자 1020070049752 (2007.05.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0845342-0000 (2008.07.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.22)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전 유성구
2 인준호 대한민국 대전 유성구
3 서관용 대한민국 대전시 유성구
4 싯다르타 바라다즈 인도 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0375374-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0013391-63
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0348896-68
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기의 화학식 1의 단결정 규화철코발트 단결정 나노와이어
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노와이어는 강자성체(ferromagnetic material)인 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
3 3
제 2항에 있어서, 상기 나노와이어는 헬리칼 스핀 정렬(helical spin order)을 가지는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
4 4
제 1항에 있어서,상기 나노와이어는 10K 내지 30K의 온도에서 금속-절연체 전이(metal-to-insulator transition)가 일어나는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
5 5
제 1항에 있어서,상기나노와이어는 큐리 온도(Tc; Curie temperature)이하에서 양(positive)의 자기저항(magnetoresistance)을 갖는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
6 6
제 1항에 있어서,상기 나노와이어는 절대온도 5K에서 1
7 7
제 1항에 있어서, 상기 나노와이어는 50 Oe 외부자기장 하에서 강자성-스핀 글래스 전이(reentrant spin-glass like behavior)가 일어나는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
8 8
제 1항에 있어서,상기 나노와이어의 Fe, Co 및 Si는 완전고용체(fully solid solution)를 이루고 있으며, 입방(cubic) B20구조 (P213 Space group)를 가지는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
9 9
제 8항에 있어서,상기 나노와이어는 입방 B20구조의 [110] 방향이 장축방향인 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
10 10
제 1항에 있어서,상기 나노와이어는 CoI2 및 FeI2의 혼합물 또는 CoI2 및 FeCl3의 혼합물인 선구물질을 400 ℃ 내지 600 ℃로 가열하고 실리콘 기판을 800 ℃ 내지 1000 ℃로 가열하여, 비활성 기체의 흐름에 따라 기화된 상기 선구물질이 실리콘 기판으로 이동하여 실리콘 기판 상에 규화철코발트 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어
11 11
반응로의 전단부에 위치시킨 할로겐화코발트 및 할로겐화철의 혼합물인 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 실리콘 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 실리콘 기판 상에서 x가 0
12 12
제 11항에 있어서,상기 선구물질을 400 ℃ 내지 600 ℃로 유지시키고 상기 실리콘기판을 800 ℃ 내지 1000 ℃로 유지시켜 열처리하는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어 제조방법
13 13
제 11항에 있어서,상기 선구물질은 하기의 화학식 2의 할로겐화코발트 및 하기의 화학식 3의 할로겐화철의 혼합물인 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 선구물질은 CoI2 및 FeI2의 혼합물 또는 CoI2 및 FeCl3의 혼합물인 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어 제조방법
15 15
제 11항에 있어서,상기 불활성 기체는 반응로의 전단부에서 반응로의 후단부로 흐르는 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어 제조방법
16 16
제 11항에 있어서,상기 불활성 기체의 유량은 50 내지 500 sccm인 것을 특징으로 하는 규화철코발트 단결정 나노와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.