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비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015112894
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비스무트(Bi) 분말을 이용한 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 비스무트 분말과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 비스무트 단결정 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 비스무트, 나노선, 기상이송법, 기상합성법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020080007372 (2008.01.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0943977-0000 (2010.02.17)
공개번호/일자 10-2009-0081488 (2009.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20100226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전 유성구
2 인준호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0058966-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0786076-51
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0789813-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0044736-72
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0475045-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0018901-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0018747-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0059754-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
비스무트(Bi) 분말을 기화시켜 기판 상에 단결정체의 비스무트(Bi) 나노와이어가 제조되는 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 비스무트 분말은 반응로 전단부에 위치하며 600 내지 800℃로 유지되고, 상기 기판은 반응로 후단부에 위치하며 100 내지 200℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부 쪽으로 불활성 기체가 100 내지 600 sccm 흐르는 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 반응로의 압력은 1 내지 30 torr인 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 기판은 부도체 또는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 비스무트 나노와이어는 롬보헤드랄(rhombohedral) 구조인 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 비스무트 나노와이어는 장축이 003c#110003e# 방향인 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 비스무트 나노와이어는 단축의 직경이 50nm 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 비스무트 단결정 나노와이어 제조방법
9 9
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02241534 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US20100316874 US 미국 FAMILY
3 WO2009093842 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2009093842 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2241534 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2241534 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2010316874 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2009093842 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2009093842 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/교육과학기술부/교육과학기술부 한국과학기술원/국민대학교/이화여자대학교 산학협력단 국가지정연구실 사업(NRL)/21세기 프론티어 연구개발 사업/우수연구센터지원사업 나노-스핀트로닉스 응용을 위한 자성반도체*자성금속 나노선의 개발/단결정 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재개발/바이오 친화성 나노 클러스터 및 나노선 연구