요약 | 본 발명은 이원합금을 구성하는 금속원소들의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속, 또는 이원합금물질을 선구물질로 기상합성 방법을 이용한 이원합금 나노구조체의 제조방법 및 이원합금 나노구조체를 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 이원합금 단결정 나노와이어 또는 나노벨트를 형성시키는 제조 방법 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 이원합금 나노와이어 또는 나노벨트를 제공한다. 본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 이원합금 나노구조체를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 나노와이어 또는 나노벨트가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고품질 이원합금 나노구조체인 장점을 가지며, 단결정 기판 상에 응집되어 있지 않은 균일한 크기의 이원합금 나노구조체를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 이원합금(binary alloy), 나노와이어(nanowire), 나노벨트(nanobelt), 기상합성법, Ag, Au, Pd, Te, Co, Bi, 무촉매 |
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Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080063424 (2008.07.01) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0974606-0000 (2010.08.02) |
공개번호/일자 | 10-2009-0005972 (2009.01.14) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100806) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020070068548 | 2007.07.09
|
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.07.01) |
심사청구항수 | 26 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김봉수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 인준호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 유영동 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 이효철 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김종관 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
2 | 박창희 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
3 | 권오식 | 대한민국 | 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0475116-84 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0786054-57 |
3 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0331340-67 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 이원합금 나노와이어; 또는 이원합금 나노벨트;인 이원합금 나노구조체의 상기 이원합금을 구성하는 한 금속의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속을 포함하는 제 1물질, 상기 이원합금을 구성하는 다른 금속의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속을 포함하는 제 2물질 및 상기 이원합금의 이원합금물질을 포함하는 제 3물질에서, 상기 제 1물질 내지 제 3물질에서 선택된 두 물질; 상기 제 1물질 내지 제 3물질에서 선택된 두 물질의 혼합물; 또는 상기 제 3물질;을 선구물질로 이용하며, 반응로의 전단부에 위치시킨 상기 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 반도체 또는 부도체 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 이원합금(binary alloy) 단결정 나노와이어 또는 나노벨트가 형성되는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 선구물질은 제 1물질과 제 2물질의 혼합물; 제 1물질과 제 3물질의 혼합물; 또는 제 3 물질;인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 제 1물질 또는 제 2물질의 할로겐화금속은 플루오르화금속(metal fluoride), 염화금속(metal chloride), 브롬화금속(metal bromide) 또는 요오드화금속(metal iodide)에서 선택된 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 불활성 기체는 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부 쪽으로 10내지 600 sccm 흘려주는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 열처리는 2 내지 30 torr의 압력에서 열처리 되는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 선구물질은 500 내지 1200℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 700 내지 1100℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
7 |
7 제 5항에 있어서, 상기 선구물질은 500 내지 1200℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 100 내지 200℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 선구물질이 상기 제 1물질의 할로겐화금속 및 상기 제 2물질이며, 상기 제 1물질의 할로겐화금속과 상기 제 2물질이 물리적으로 분리되어 상기 전단부에 위치하는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 제 1물질의 할로겐화금속이 500 내지 800℃로 유지되며, 상기 제 2물질이 800 내지 1200℃로 유지되고, 상기 단결정 기판이 700 내지 1100℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 제 1물질 또는 제 2물질의 금속산화물은 산화은, 산화금, 산화코발트, 산화팔라듐, 산화비스무트 또는 산화텔루륨인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
11 |
11 제 1항에 있어서, 상기 제 1물질 또는 제 2물질의 금속물질은 은, 금, 코발트, 팔라듐, 비스무트 또는 텔루륨인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
12 |
12 제 1항에 있어서, 상기 제 1물질 또는 제 2물질의 할로겐화금속은 할로겐화은, 할로겐화금, 할로겐화코발트, 할로겐화팔라듐, 할로겐화비스무트 또는 할로겐화텔루륨인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
13 |
13 제 1항에 있어서, 상기 제 3물질의 이원합금물질은 Pd와 Au의 합금, Co와 Ag의 합금, Ag와 Te또는 Bi와 Te의 합금인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체의 제조방법 |
14 |
14 제 1항에 있어서, 상기 단결정 기판 상에 형성되는 이원합금 나노구조체는 PdxAu1-x(상기 x는 0 |
15 |
15 선구물질을 이용하여 무촉매 조건에서 기상합성법으로 제조되고, 나노와이어 또는 나노벨트 형태인 나노구조체이며, 상기 나노구조체는 금속 및 준금속에서 선택된 두 원소의 고용체상의 단결정체 또는 화합물상의 단결정체인 이원합금 나노구조체 |
16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 선구물질은 이원합금 나노와이어 또는 이원합금 나노벨트를 구성하는 한 금속의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속을 포함하는 제 1물질, 상기 이원합금을 구성하는 다른 금속의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속을 포함하는 제 2물질 또는 상기 이원합금의 이원합금물질을 포함하는 제 3물질에서, 상기 제 1물질 내지 제 3물질에서 선택된 두 물질; 상기 제 1물질 내지 제 3물질에서 선택된 두 물질의 혼합물; 또는 제 3물질;인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
17 |
17 제 16항에 있어서, 상기 기상합성법은 상기 선구물질이 500 내지 1200℃로 유지되고, 이원합금 단결정 나노와이어가 형성되는 기판이 700 내지 1100℃로 유지되며, 2 내지 30 torr의 압력에서 상기 선구물질에서 상기 기판 쪽으로 불활성 기체가 10 내지 600 sccm 흐르는 열처리인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
18 |
18 제 16항에 있어서, 상기 기상합성법은 상기 선구물질이 500 내지 1200℃로 유지되고, 이원합금 단결정 나노벨트가 형성되는 기판이 100 내지 200℃로 유지되며, 2 내지 30 torr의 압력에서 상기 선구물질에서 상기 기판 쪽으로 불활성 기체가 10 내지 600 sccm 흐르는 열처리인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
19 |
19 제 16항에 있어서, 상기 이원합금 나노구조체는 PdxAu1-x(상기 x는 0 |
20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 PdxAu1-x(상기 x는 0 |
21 |
21 제 20항에 있어서, 상기 PdxAu1-x(상기 x는 0 |
22 |
22 제 19항에 있어서, 상기 CoyAg1-y(상기 y는 0 |
23 |
23 제 22항에 있어서, 상기 CoyAg1-y(상기 y는 0 |
24 |
24 제 19항에 있어서, 상기 Ag2Te 단결정 나노와이어는 단순 단사정 구조(simple monoclinic)인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
25 |
25 제 24항에 있어서, 상기 Ag2Te 단결정 나노와이어는 화합물(compound)인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
26 |
26 제 19항에 있어서, 상기 Bi1Te1 단결정 나노벨트는 헥사고날 구조(hexagonal)인 것을 특징으로 하는 이원합금 나노구조체 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | JP04786687 | JP | 일본 | FAMILY |
2 | JP21035474 | JP | 일본 | FAMILY |
3 | US20090013824 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | DE102008029784 | DE | 독일 | DOCDBFAMILY |
2 | JP2009035474 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
3 | JP4786687 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
4 | US2009013824 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부/교육과학기술부/교육과학기술부 | 한국과학기술원/한국과학기술원/이화여자대학교 산학협력단 | 국가지정연구실 사업(NRL)/21세기 프론티어 연구개발 사업/우수연구센터지원사업 | 나노-스핀트로닉스 응용을 위한 자성반도체*자성금속 나노선의 개발/단결정 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재 개발/바이오 친화성 나노 클러스터 및 나노선 연구 |
특허 등록번호 | 10-0974606-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080701 출원 번호 : 1020080063424 공고 연월일 : 20100806 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100730 청구범위의 항수 : 26 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 이원합금 단결정 나노구조체 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180803 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 529,500 원 | 2010년 08월 03일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 612,000 원 | 2013년 07월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 428,400 원 | 2014년 07월 24일 | 납입 |
제 6 - 7 년분 | 금 액 | 1,516,400 원 | 2015년 07월 29일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 761,600 원 | 2017년 07월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0475116-84 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0786054-57 |
3 | 등록결정서 | 2010.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0331340-67 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345072325 |
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세부과제번호 | R0A-2007-000-20127-0 |
연구과제명 | 나노?스핀트로닉스응용을위한자성반도체?자성금속나노선의개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345076437 |
---|---|
세부과제번호 | R11-2005-008-06001-0 |
연구과제명 | 바이오친화성나노클러스터및나노선연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 이화여자대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200803~201102 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345085591 |
---|---|
세부과제번호 | 15-2008-07-001-00 |
연구과제명 | 단결정금속1차원나노구조를이용한신형전자기소재개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200804~201203 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345141767 |
---|---|
세부과제번호 | 15-2008-07-001-00 |
연구과제명 | 단결정 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200804~201203 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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