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단결정 트윈프리 귀금속 나노와이어 및 할로겐화귀금속을 이용한 단결정 트윈프리 귀금속 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113392
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 귀금속 나노와이어 제조방법은 할로겐화귀금속을 선구물질로 사용하는 특징이 있으며, 기상 이송법을 이용하고, 상기 선구물질의 온도를 제어하여하여, 기판 상부에 기판과 수직 또는 수평의 방향성을 갖는 귀금속 나노와이어를 제조하는 특징이 있다. 상세하게, 본 발명의 제조방법은 할로겐화귀금속인 선구물질을 반응로 전단부에 위치시키고, 단결정 기판을 반응로 후단에 위치시켜, 일정한 압력하에 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부로 불활성 기체가 흐르는 조건에서 상기 단결정 기판상에 상기 단결정 기판과 에피텍샬 관계를 갖는 트윈-프리 단결정체의 귀금속 나노와이어가 제조되며, 상기 선구물질의 온도를 제어하여 상기 기판 표면을 기준으로 한 상기 귀금속 나노와이어의 장축 방향이 제어되는 특징이 있다. 할로겐화물, 선구물질, 귀금속, 나노와이어, 수직, 수평, 방향성
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01)
출원번호/일자 1020090035522 (2009.04.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0116875 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전광역시 유성구
2 한솔 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0246891-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077387-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0096074-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0285116-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0357149-38
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0357147-47
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0710145-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
할로겐화귀금속을 선구물질로 하여, 상기 선구물질을 반응로 전단부에 위치시키고, 단결정 기판을 반응로 후단에 위치시켜, 일정한 압력하에 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부로 불활성 기체가 흐르는 조건에서 열처리하여 상기 단결정 기판상에 상기 단결정 기판과 에피텍샬 관계를 갖는 귀금속 나노와이어가 제조되며, 상기 선구물질의 온도를 제어하여 상기 기판 표면을 기준으로 한 상기 귀금속 나노와이어의 장축 방향이 제어되는 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 할로겐화귀금속은 염화귀금속, 브롬화귀금속, 요오드화귀금속 또는 플루오르화귀금속인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 압력은 0
4 4
제 3항에 있어서, 상기 불활성 기체 유량은 200 내지 300 sccm 인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판의 온도는 제조 대상인 귀금속 나노와이어의 귀금속 물질 Tm(melting point(℃))을 기준으로 0
6 6
제 5항에 있어서, 상기 선구물질의 온도는 상기 선구물질의 녹는점(melting point(℃)) 또는 분해점(decomposition point(℃)) 중 낮은 온도를 기준으로 0
7 7
제 5항에 있어서, 상기 선구물질의 온도는 상기 선구물질의 녹는점(melting point(℃)) 또는 분해점(decomposition point(℃)) 중 낮은 온도를 기준으로 1
8 8
제 1항에 있어서, 상기 기판은 제조하고자 하는 귀금속 나노와이어의 귀금속 물질과 에피텍샬을 형성하는 기판인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
9 9
제 5항 내지 제 7항에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 선구물질은 염화플래티늄, 브롬화플래티늄, 요오드화플래티늄 또는 플루오르화플래티늄이며, 상기 귀금속 나노와이어는 Pt 나노와이어인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 기판의 온도는 850 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 선구물질은 염화플래티늄이며, 상기 선구물질의 온도가 400 내지 500℃로 제어되어 Pt 나노와이어의 장축 방향이 상기 기판의 표면과 수직인 수직 Pt 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 선구물질은 염화플래티늄이며, 상기 선구물질의 온도가 800 내지 900℃로 제어되어 Pt 나노와이어의 장축 방향이 상기 기판의 표면과 평행한 수평 Pt 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 기판은 c면을 표면으로 갖는 사파이어 단결정 기판인 것을 특징으로 하는 귀금속 나노와이어의 제조방법
14 14
무-촉매, 무-템플레이트(template)로, 단결정 기판의 표면과 에피텍샬 관계(epitaxial relation)를 가지고, 나노와이어의 장축이 상기 기판 표면에 대해 수직 또는 수평의 관계를 가지며 상기 기판 표면에 버팀 없이 서 있는(free standing) 단결정체의 Pt 나노와이어
15 15
제 14항에 있어서, 상기 Pt 나노와이어는 트윈(twin)을 포함하는 면결함이 없는 단결정체인 것을 특징으로 하는 Pt 나노와이어
16 16
제 14항에 있어서, 상기 Pt 나노와이어의 장축은 [110] 방향인 것을 특징으로 하는 Pt 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP22255093 JP 일본 FAMILY
2 KR1020100136185 KR 대한민국 FAMILY
3 US20100272951 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010255093 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2010272951 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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