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나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015113725
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴의 제조 방법에 있어서, 나노 구조체의 제조 방법은 중성층을 포함하는 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막으로 제1 희생 블록 및 제2 희생 블록을 포함하는 희생 구조체를 형성한 후, 화학 패턴을 형성함으로써 나노 구조체를 형성한다. 이에 따라, 대면적의 기판에 블록 공중합체를 이용한 나노 구조체를 용이하게 형성함으로써 생산성 및 제조 신뢰성을 향상시킬 수 있다.대면적, 나노 구조체, 블록 공중합체, 포토레지스트, 중성층, 리소그래피
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/00 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090101137 (2009.10.23)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1572109-0000 (2015.11.20)
공개번호/일자 10-2010-0080336 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080137025   |   2008.12.30
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.28)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 정성준 대한민국 대전광역시 유성구
3 이수미 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 김봉훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 김지은 대한민국 대전광역시 유성구
6 유재호 대한민국 경기도 화성시
7 이문규 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 남승호 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0650170-80
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0728687-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739506-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0824025-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0044867-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0563897-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중성층을 포함하는 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 제1 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막으로, 제1 희생 블록 및 제2 희생 블록을 포함하는 희생 구조체를 형성하는 단계;상기 희생 구조체로부터 상기 제1 희생 블록을 제거하는 단계;상기 제2 희생 블록을 마스크로 이용하여, 상기 중성층을 산화시켜 화학 패턴을 형성하는 단계;상기 화학 패턴을 포함하는 기판으로부터 상기 제2 희생 블록 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및상기 화학 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 제2 블록 공중합체를 포함하는 제2 박막으로, 상기 기판 상에 전면적으로 배치된 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 블록 공중합체들은 판상형(lamella)을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 블록 공중합체들은 실린더형(Cylinder)을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 기판의 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반복적으로 배열된 격벽부들을 포함하고,상기 제1 박막 및 상기 희생 구조체는 서로 인접한 격벽부들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
5 5
기판 상에 제1 방향으로 반복적으로 배열되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장된 볼록부 및 오목부를 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 중성층을 형성하는 단계; 및상기 중성층이 형성된 기판 상에 형성된 블록 공중합체를 포함하는 박막으로 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는상기 기판 상에 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 서로 이격된 기둥 패턴들을 형성하는 단계;상기 기둥 패턴들을 포함하는 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포하여 상기 기둥 패턴들이 형성된 영역에 상기 볼록부를 형성하는 단계; 및서로 인접한 기둥 패턴들 사이에 오목부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은상기 볼록부 상에 배치된 광차단부 및 상기 오목부 상에 배치된 하프톤부를 포함하는 하프 톤 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 나노 구조체는상기 블록 공중합체가 상기 포토레지스트 패턴에 의한 두께 구배(thickness gradient)에 의해서 자발적으로 정렬하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 나노 구조체는 상기 제2 방향으로 정렬된 제1 나노 블록 및 상기 제1 나노 블록의 상기 제1 방향에 배치된 제2 나노 블록을 포함하고,상기 제1 및 제2 블록들은 상기 제1 방향을 따라 반복적으로 배열된 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
10 10
기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 실린더형 블록 공중합체를 포함하는 버퍼층으로 버퍼 구조체를 형성하는 단계; 및상기 버퍼 구조체를 포함하는 기판 상에 형성된 판상형 블록 공중합체를 포함하는 박막으로 상기 버퍼 구조체 상에 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은상기 기판의 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반복적으로 배열된 격벽부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 버퍼 구조체는서로 인접한 격벽부들 사이에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 배치된 나노 실린더들;상기 격벽부들 및 상기 나노 실린더들을 포함하는 기판 상에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 배치된 하프-실린더들; 및상기 나노 실린더들 및 상기 하프-실린더들을 사이에 배치된 기질(substrate)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 나노 구조체는상기 제1 방향으로 연장되고 상기 하프-실린더들 각각과 대응하며 상기 제2 방향으로 반복적으로 배열된 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
14 14
모박막, 중성층 및 포토레지스트 패턴이 순차적으로 형성된 기판 상에 형성된 제1 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막으로 제1 희생 블록 및 제2 희생 블록을 포함하는 희생 구조체를 형성하는 단계;상기 희생 구조체로부터 상기 제1 희생 블록을 제거하는 단계;상기 제2 희생 블록을 마스크로 상기 중성층을 산화시켜 화학 패턴을 형성하는 단계;상기 화학 패턴을 포함하는 기판으로부터 상기 제2 희생 블록 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 화학 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 제2 블록 공중합체를 포함하는 제2 박막으로 상기 기판 상에 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 나노 블록을 제거하는 단계; 및상기 제2 나노 블록을 마스크로 상기 모박막을 패터닝하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
15 15
기판의 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반복적으로 배열된 볼록부 및 오목부를 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 모박막 및 중성층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 중성층이 형성된 기판 상에 형성된 블록 공중합체를 포함하는 박막으로 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 나노 블록을 제거하는 단계; 및상기 제2 나노 블록을 마스크로 이용하여 상기 모박막을 패터닝하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
16 16
기판 상에 제1 방향으로 배열되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장된 볼록부 및 오목부를 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 중성층을 형성하는 단계;상기 중성층이 형성된 기판 상에 형성된 블록 공중합체를 포함하는 박막으로 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 나노 구조체의 일부가 제거된 기판 상에 모박막을 형성하는 단계; 및상기 제2 블록의 상단 및 상기 제2 블록 상에 형성된 모박막을 제거하여 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 모박막을 형성하는 단계는상기 나노 구조체로부터 상기 제1 나노 블록이 제거되어 상기 제2 나노 블록이 잔류하는 기판 상에 상기 모박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 모박막을 형성하는 단계는 상기 나노 구조체로부터 일부 제거되어, 잔류하는 상기 제1 나노 블록 및 상기 제2 나노 블록을 포함하는 기판 상에 상기 모박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 패턴은 상기 잔류하는 제1 나노 블록 상에 형성된 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
19 19
모박막을 포함하는 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 실린더형 블록 공중합체를 포함하는 버퍼층으로 버퍼 구조체를 형성하는 단계;상기 버퍼 구조체를 포함하는 기판 상에 형성된 판상형 블록 공중합체를 포함하는 박막으로, 상기 버퍼 구조체 상에 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 나노 블록 및 상기 제1 나노 블록의 하부에 배치된 상기 버퍼 구조체를 제거하는 단계; 및잔류하는 버퍼 구조체 및 상기 제2 나노 블록을 통해 노출된 상기 모박막을 패터닝하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은상기 기판의 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반복적으로 배열된 격벽부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 버퍼 구조체는서로 인접한 격벽부들 사이에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 배치된 나노 실린더들;상기 격벽부들 및 상기 나노 실린더들을 포함하는 기판 상에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 배치된 하프-실린더들; 및상기 나노 실린더들 및 상기 하프-실린더들을 사이에 배치된 기질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
22 22
기판 상에 형성된 모박막을 패터닝하여 제1 두께부 및 상기 제1 두께부보다 낮은 제2 두께부를 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 금속 패턴을 포함하는 기판 상에 형성된 실린더형 블록 공중합체를 포함하는 버퍼층으로 버퍼 구조체를 형성하는 단계;상기 버퍼 구조체를 포함하는 기판 상에 형성된 판상형 블록 공중합체를 포함하는 예비층으로 상기 버퍼 구조체 상에 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 나노 블록 및 상기 제1 나노 블록의 하부에 형성된 버퍼 구조체를 제거하는 단계; 및잔류하는 버퍼 구조체 및 상기 제2 블록을 통해 노출된 상기 금속 패턴을 패터닝하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 버퍼 구조체는상기 제2 두께부 상에 배치된 나노 실린더들;상기 나노 실린더들 및 상기 제1 두께부 상에 배치된 하프-실린더들; 및상기 나노 실린더들 및 상기 하프-실린더들을 사이에 배치된 기질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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2 US08486613 US 미국 FAMILY
3 US20100151393 US 미국 FAMILY

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1 US2010151393 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8486613 US 미국 DOCDBFAMILY
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