맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113730
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 선구물질로 이용한 금속 나노플레이트(metal nano-plate)의 제조방법으로, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 금속 나노플레이트(nano-plate)가 형성되는 특징이 있다.본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 재현성있으며, 제조된 나노플레이트가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 고 결정성 및 고순도 단결정 상태의 귀금속 나노플레이트인 장점을 가지며, 단결정 기판의 표면 방향을 제어하여 금속 나노플레이트의 형상 및 단결정 기판과의 배향성을 제어할 수 있는 장점을 가지며, 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 나노플레이트, 귀금속, 금속, 기상이송법, 기상합성법, 무촉매
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C30B 29/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090089527 (2009.09.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1126086-0000 (2012.03.06)
공개번호/일자 10-2010-0033950 (2010.03.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080092652   |   2008.09.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.22)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전광역시 유성구
2 유영동 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0581227-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025483-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0331734-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634565-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0634559-19
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0118683-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응로의 전단부에 위치시킨 Au, Pd, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 50 내지 150 sccm의 불활성 기체가 반응로 전단부에서 후단부로 흐르는 분위기에서 상기 선구물질을 1200 내지 1300℃로, 상기 단결정 기판을 850 내지 1050℃로 5 내지 20 torr의 압력하에 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 Au, Pd 또는 Au-Pd 이원합금 나노플레이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
2 2
반응로의 전단부에 위치시킨 Ag를 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 50 내지 150 sccm의 불활성 기체가 반응로 전단부에서 후단부로 흐르는 분위기에서 상기 선구물질을 800 내지 850℃로, 상기 단결정 기판을 550 내지 700℃로 5 내지 20 torr의 압력하에 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 Ag 나노플레이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
3 3
반응로의 전단부에 위치시킨 할로겐화Pt를 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 200 내지 400 sccm의 불활성 기체가 반응로 전단부에서 후단부로 흐르는 분위기에서 상기 선구물질을 450 내지 500℃로, 상기 단결정 기판을 1000 내지 1050℃로 750 내지 770 torr의 압력하에 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 Pt 나노플레이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
4 4
반응로의 전단부에 위치시킨 전이금속 물질 및 할로겐화 전이금속을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 50 내지 200 sccm의 불활성 기체가 반응로 전단부에서 후단부로 흐르는 분위기에서 상기 선구물질을 700 내지 900℃로, 상기 단결정 기판을 800 내지 1000℃로 750 내지 770 torr의 압력하에 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 전이금속 나노플레이트 또는 서로 다른 두 전이금속으로 이루어진 이원합금 나노플레이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
5 5
제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 금속 단결정 나노플레이트는 다각 판 형상인 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 금속 단결정 나노플레이트는 상기 단결정 기판 상에 에피텍샬(epitaxial) 성장하는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 금속 단결정 나노플레이트가 형성되는 단결정 기판의 물질 및 표면 방향을 제어하여, 상기 금속 단결정 나노플레이트의 형상; 상기 단결정 기판의 표면에 대한 금속 단결정 나노플레이트의 배향성; 또는 이들의 조합이 제어되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 단결정 기판은 a({11-20}) 표면의 사파이어, r({1-102}) 표면의 사파이어, m({1-100}) 표면의 사파이어, c({0001}) 표면의 사파이어, {001} 표면의 란타늄 알루미늄 옥사이드(LAO; Lanthanum Aluminum Oxide), {100} 표면의 스트론튬 타이타네이트(STO; Strontium Titanate) 또는 {110} 표면의 티타니아(Titanium dioxide)인 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
9 9
제 4항에 있어서,상기 선구물질은 Ni과 할로겐화Ni의 혼합물; 또는 Ni, 할로겐화Ni 및 할로겐화Co의 혼합물이며, 상기 단결정 기판상 Ni 나노플레이트 또는 Ni-Co 이원합금 나노플레이트가 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
반응로의 전단부에 위치시킨 금속물질, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 형성된 다각판형의 단결정체인 금속 단결정 나노플레이트
18 18
제 17항에 있어서,상기 금속 나노플레이트는 귀금속 나노플레이트, 서로 다른 두 귀금속으로 이루어진 이원합금 나노플레이트(I), 전이금속 나노플레이트 또는 서로 다른 두 전이금속으로 이루어진 이원합금 나노플레이트(II)인 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트
19 19
제 17항에 있어서,상기 다각판형의 나노플레이트는 육각형, 오각형, 사각형, 삼각형, 평행사변형 또는 사다리꼴의 나노플레이트인 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트
20 20
제 17항에 있어서,상기 금속 단결정 나노플레이트는 금속 단결정 나노플레이트가 형성된 단결정 기판과 에피텍샬(Epitaxial)관계를 가지며, 상기 단결정 기판의 표면에 대해 일정한 배향성을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트
21 21
제 17항에 있어서,상기 금속 단결정 나노플레이트는 면심입방구조(FCC)이며, 상기 금속 단결정 나노플레이트의 플레이트 면은 {111}면이며, 상기 나노플레이트의 변의 방향은 003c#110003e#방향을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 단결정 나노플레이트
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102216203 CN 중국 FAMILY
2 JP05269904 JP 일본 FAMILY
3 JP23502212 JP 일본 FAMILY
4 US08415546 US 미국 FAMILY
5 US20110262702 US 미국 FAMILY
6 WO2010033005 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2010033005 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102216203 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102216203 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2011502212 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2011502212 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5269904 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2011262702 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8415546 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2010033005 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
9 WO2010033005 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/교육과학기술부 한국과학기술원/한국과학기술원 국가지정연구실 사업(NRL)/21세기 프론티어 연구개발 사업 나노-스핀트로닉스 응용을 위한 자성반도체*자성금속 나노선의 개발/단결성 금속 1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재 개발