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금 나노 입자의 제조방법에 있어서,(a) 금염, 분산 안정제 및 반응 조절제를 용매에 용해하여 반응 용액을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 반응 용액을 가열하는 단계를 포함하되, 상기 반응 조절제는 반응 단계에서 염이온의 농도를 조절하여 금 나노 입자에서의 다중쌍정입자(multiply twinned particle)의 생성을 억제하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금염은 HAuCl4, AuCl, AuCl3, Au4Cl8, KAuCl4, NaAuCl4, NaAuBr4, AuBr3, AuBr, AuF3, AuF5, AuI, AuI3, KAu(CN)2, Au2O3, Au2S, Au2S3, AuSe, Au2Se3, AuTe2 에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제1항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금염은 8 μM 이상 2
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제1항에 있어서, 상기 분산 안정제는 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜, 셀룰로우즈, 폴리아크릴아마이드, 폴리아크릴산, 폴리비닐알콜, 셀룰로우즈 및 이들의 유도체에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 분산 안정제는 9 μM 이상 3 mM 이하의 범위에서 제어되는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응 조절제는 Cl, Br, I, F, CN, S, Se 및 Te기를 가진 무기염 또는 유기염 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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7
제 4 항에 있어서, 상기 무기염은 NaCl, NaBr, NaF, NaI, KCl, KBr, KF, KI, Na2S, K2S 및 Na2SeSO3 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 유기염은 NaCN, KCN, CuSCN, CTAB(cethyl trimethyl ammonium bromide) 및 CTAC (cethyl trimethyl ammonium chloride) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응 조절제는 산소인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응 조절제는 용매에 용해되어 수소 양이온을 나타내는 물질인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 수소 양이온을 나타내는 물질은 HCl, HBr, HF, HI, HNO3, H2SO4, H3PO4, acetic acid, formic acid, citric acid, lactic acid, acrylic acid 및 poly acrylic acid 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1 항 또는 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응 조절제는 5 μM 이상 10 mM 이하의 범위에서 제어되는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응 조절제는 H2O, 에틸렌글리콜, 프로판디올, 부탄디올, 펜탄디올, 글리세롤, 에틸셀로솔브, NMP 및 알코올에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항 또는 제 13항에 있어서, 상기 반응 조절제는 용매 대비 부피비로 1/100 이상 1/2 이하의 범위에서 제어되는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 용매는 포름아마이드, 아세트아마이드, 노말-메틸포름아마이드, 디메틸포름아마이드에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 가열과정에서의 반응 온도를 40 oC 이상 상기 용매의 끓는점 미만에서 실시하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 가열과정은 상압 또는 가압 하에서 실시하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제1항에 있어서, 제조되는 금 나노 입자는 tetrahedron, cube, octahedron, dodecahedron, icosahedron, truncated tetrahedron, cuboctahedron, truncated cube, truncated octahedron, rhombicuboctahedron, truncated cuboctahedron, snub hexahedron, snub cuboctahedron, icosidodecahedron, truncated dodecahedron, truncated icosahedron, rhombicosidodecahedron, truncated icosidodecahedron, snub dodecahedron, snub icosidodecahedron, triakis tetrahedron, rhombic dodecahedron, triakis octahedron, tetrakis hexahedron, deltoidal icositetrahedron, disdyakis dodecahedron, pentagonal icositetrahedron, rhombic triacontahedron, triakis icosahedron, pentakis dodecahedron, deltoidal hexecontahedron, disdyakis triacontahedron, pentagonal hexecontahedron, decahedron과 truncated decahedron, plate 및 별 모양에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응 용액을 가열 후 급속 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자 제조방법
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