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규화금속 단결정 나노와이어의 제조방법 및 방향성을 갖는 규화금속 단결정 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015114052
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무-촉매, 무-템플레이트(template-free) 조건으로, 단축 직경의 길이가 엄밀하게 조절되며 기판에 대해 일정한 방향성을 가지며, 기판 상 독립적으로 서 있는(free-standing) 규화철 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 규화철 나노와이어에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 규화철 나노와이어가 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 기판상 형성되는 상기 규화철 나노와이어의 단축 방향과 장축 방향의 상대적 성장 속도가 제어되는 특징이 있다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01)
CPC C01G 49/00(2013.01) C01G 49/00(2013.01) C01G 49/00(2013.01) C01G 49/00(2013.01) C01G 49/00(2013.01)
출원번호/일자 1020100038386 (2010.04.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1200864-0000 (2012.11.07)
공개번호/일자 10-2011-0118960 (2011.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.26)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전광역시 유성구
2 김시인 대한민국 대전광역시 유성구
3 서관용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0266994-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075493-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0101836-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0316837-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0401082-80
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0401079-42
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658833-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 규화철 나노와이어가 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 기판상 형성되는 상기 규화철 나노와이어의 단축 방향과 장축 방향의 상대적 성장 속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 규화철 나노와이어의 단축 직경이 제어되는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비의 변화에 의해 일정한 조성 및 결정구조가 유지되며 단축 직경이 제어된 규화철 나노와이어가 제조되는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 제2선구물질의 규소 함유량을 감소시켜 상기 규화철 나노와이어의 단축 직경을 감소시키는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 Fe1Si1인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
6 6
제 3항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 입방정계 B20형 구조(space group P213)인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
7 7
제 3항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 트윈을 포함한 면결함이 없는 단결정체인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 제2선구물질의 규소 : 탄소의 질량비는 1:8~20인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 규화철 나노와이어의 단축 직경은 50 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 기판 하부에 상기 제2선구물질이 위치하는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 반응로 전단부는 450 ℃ 내지 600 ℃로 유지되며, 상기 반응로 후단부는 900 ℃ 내지 1000 ℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 불활성 기체는 반응로 전단부에서 반응로 후단부로 흐르며, 상기 불활성 기체의 유량은 100 내지 300 sccm인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
13 13
제 8항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 상기 기판 상에 에피텍샬(epitaxial) 성장한 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 상기 기판의 표면에 대해 일정한 배향성을 갖는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
15 15
제 13항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 상기 기판 상에 독립적으로 서 있는(free-standing)것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어의 제조방법
16 16
반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 단축 직경이 제어된 규화철 나노와이어이며, 상기 규화철 나노와이어는 상기 기판 상에 에피텍샬(epitaxial) 성장하여, 상기 규화철 나노와이어와 상기 기판이 에피텍샬 관계를 가지며, 상기 규화철 나노와이어는 상기 기판의 표면에 대해 둘 이상의 방향으로 서로 평행하게 배열된 배향성을 갖는 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
17 17
제 16항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 Fe1Si1인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
18 18
제 16항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 입방정계 B20형 구조(space group P213)인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
19 19
제 16항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 트윈을 포함한 면결함이 없는 단결정체인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
20 20
제 18항에 있어서,상기 규화철 나노와이어의 장축 방향은 [110]이며, 단축 직경은 50 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
21 21
삭제
22 22
제 16항에 있어서,상기 규화철 나노와이어는 상기 기판 상에 독립적으로 서 있는(free-standing)것을 특징으로 하는 규화철 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 KAIST 화학과 첨단나노선 연구실 원천기술개발사업 플라즈모닉 구조 기반 복합형 광소자 개발