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높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조용 블록공중합체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114451
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조 방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물 및 그 응용이 제공된다. 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 기판 상에 적층된 제 1층 위에 실리콘 함유 중합체 블록을 포함하는 블록공중합체를 도포하는 단계; 상기 도포된 블록공중합체를 어닐링하여 자기조립시키는 단계; 및 상기 자기조립된 실리콘 함유 블록공중합체를 산소 반응성 이온 에칭 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 실리콘 화합물을 첨가하는 별도의 과정 없이 실리콘을 포함하는 단량체를 이용하여 손쉽게 합성된 실리콘 함유 블록공중합체를 이중층의 상부층에 적용시키는 것으로, 본 발명에서는 실리콘을 함유하는 블록공중합체가 바로 사용될 수 있기 때문에 그 공정이 짧고 간단하며, 실리콘 함유 블록공중합체의 자기 조립 현상을 이용하여 수 십 나노크기의 미세 구조를 구현 할 수 있다. 또한 높은 에칭 저항성을 가지는 블록에 의해 하부 유기 고분자 층으로의 패턴 전사를 가능하게 한다. 또한, 이를 통해 형성된 높은 종횡비를 가지는 미세 나노구조물은 다른 다양한 나노구조물을 형성하기 위한 주형으로서 응용될 수 있으며, 또한 하부층, 기판 등을 다양하게 사용할 수 있는 장점이 있어 나노구조물이 요구되는 모든 응용에 적용될 수 있다.
Int. CL C08F 2/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C08F 299/08 (2006.01) C08F 297/00 (2006.01)
CPC C08F 297/02(2013.01) C08F 297/02(2013.01) C08F 297/02(2013.01) C08F 297/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100031628 (2010.04.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0112501 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진백 대한민국 대전광역시 유성구
2 김수민 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 구세진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0220154-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조물 제조용 블록공중합체로서, 상기 블록공중합체는 실리콘을 함유하는 단량체로 이루어진 제 1 중합체 블록; 및실리콘을 함유하지 않은 또 다른 단량체로 이루어진 제 2 중합체 블록; 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 중합체 블록은 실리콘을 함유하는 단량체 간 중합반응에 의하여 합성된 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 중합체 블록은 단량체에 결합된 실리콘 모이어티를 함유하며, 상기 실리콘 모이어티는 상기 블록의 측쇄로 결합된 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 블록공중합체는 이중층 리소그래피 공정의 상부층 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체
5 5
나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법으로, 상기 방법은, 실리콘을 함유하지 않은 단량체를 제 1 중합하여 제 1 중합체 블록을 합성하는 단계; 및상기 제 1 중합체 블록으로부터 실리콘을 함유하는 단량체를 제 2 중합하여, 상기 제 1 중합체 블록에 결합되며, 상기 실리콘을 함유하는 단량체로 이루어진 제 2 중합체 블록을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제 1 중합과 제 2 중합은 동일 중합 방식인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제 1 중합 및 제 2 중합은 음이온 중합 또는 라디칼 중합인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
8 8
제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조물 제조용 블록공중합체
9 9
나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법으로, 상기 방법은, 실리콘을 함유하는 단량체를 제 1 중합하여 제 1 중합체 블록을 합성하는 단계; 및상기 제 1 중합체 블록으로부터 실리콘을 함유하지 않은 단량체를 제 2 중합하여, 상기 제 1 중합체 블록에 결합되며, 상기 실리콘을 함유하지 않은 단량체로 이루어진 제 2 중합체 블록을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제 1 중합과 제 2 중합은 동일 중합 방식인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 제 1 중합 및 제 2 중합은 음이온 중합 또는 라디칼 중합인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체의 제조방법
12 12
제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조물 제조용 블록공중합체
13 13
나노구조물 제조용 블록공중합체로서, 상기 블록공중합체는 하기 식 (1)의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조용 블록공중합체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 리빙 중합을 이용한 감광성 블록공정 합체의 합성 및 반도체 소자 제작용 나노패턴 제조공정