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전기화학적 식각방법을 이용한 SOI형 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114680
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘기판 앞면에 멤브레인 패턴을 형성하고 멤브레인 패턴을 통해 실리콘기판에 전류나 전압을 가하여 실리콘 기판 뒷면에서부터 전기화학적 식각이 일어나도록 하여, 실리콘 전체를 식각하면서 n-형 및 p-형 멤브레인이 형성되는 공정을 포함하는 실리콘 멤브레인의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 실리콘 멤브레인은 다음과 같은 효과가 있다: 첫째, 실리콘 멤브레인 패턴을 기판의 앞면에 형성하므로 종래의 비등방성 식각방법과는 달리, 값이 싼 단면연마된 실리콘기판을 사용할 수 있다. 둘째, n-형 및 p-형 실리콘 멤브레인을 동시에 형성할 수 있으며, 따라서 NMOSFET과 PMOSFET을 동시에 형성할 수 있다. 셋째, 실리콘멤브레인 제조 시간이 매우 단축되므로 생산성이 증대된다. 넷째, 제조된 실리콘 멤브레인은 SOI형 소자에 응용이 적합하다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/06(2013.01) H01L 29/06(2013.01) H01L 29/06(2013.01)
출원번호/일자 1019960017989 (1996.05.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0228720-0000 (1999.08.11)
공개번호/일자 10-1997-0077299 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19991101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한철희 대한민국 대전광역시 유성구
2 이희덕 대한민국 대전광역시 유성구
3 김재관 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0069650-47
2 특허출원서
Patent Application		 1996.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0069648-55
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0069649-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0047605-48
8 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083287-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 의견서
Written Opinion		 1999.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1999-5153684-35
11 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1999-5153685-81
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.04.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5153686-26
13 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0152658-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판위에 절연막을 형성하고 절연막의 일부를 식각하여 실리콘 기판이 노출되도록 하여 창을 형성하는 제1단계; 전기 노출된 기판에 n-형 이온을 주입하여 n-형층을 형성하는 제2단계; 전기 n-형층위에 산화규소막을 형성하면서 동시에 n-형 확산층을 형성하는 제3단계; 전기 절연막의 일부를 제거하여 실리콘 기판위에 창을 형성하는 제4단계; 전기 창의 형성으로 노출된 실리콘 기판에 p-형 이온을 주입하여 p-형 층을 형성하는 제5단계; 전기 실리콘 기판위의 절연막을 제거하여 실리콘 기판이 노출되도록 하여 창을 형성하는 제6단계; 전기 실리콘 기판위에 NMOSFET, PMOSFET, BJT 또는 다이오드 등의 전기소자를 형성하는 제7단계; 전기 실리콘 기판위에 절연층을 형성하는 제8단계; 전기 절연막과 산화규소막의 일부를 제거하여 p-형층이 노출되도록 하는 제9단계; 전기 실리콘 기판위에 금속막을 형성하는 제10단계; 전기 실리콘 기판위에 유리, 쿼츠 또는 실리콘 기판등의 절연구조물을 접착하는 제11단계; 실리콘 식각용액이 들어있는 반응용기의 밑면에 실리콘 기판의 뒷면이 실리콘 식각용액과 접하도록 하여 밀봉시키고 실리콘기판과 실리콘 식각용액내의 음극전극인 백금사이에 전류원이나 전압원을 연결하여 실리콘 기판에 전류나 전압을 가해 실리콘기판을 식각하여 전기소자가 형성된 실리콘 기판영역이 실리콘멤브레인이 되도록 하는 제12단계; 및, 전기 금속막을 제거하는 제13단계를 포함하는 SOI형 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.