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나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015115354
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) B22F 9/18 (2006.01) C22B 9/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110112150 (2011.10.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1357179-0000 (2014.01.23)
공개번호/일자 10-2013-0047243 (2013.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 고승환 대한민국 대전광역시 유성구
3 강봉철 대한민국 대전광역시 유성구
4 한승용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0854149-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0357790-01
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0669954-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0669953-84
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0799675-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610);액체와 혼합된 상기 산화 나노와이어를 증착시키는 단계(S613);상기 산화 나노와이어를 전사하는 단계(S615);환원제를 전사된 상기 산화 나노와이어 일면에 박막 코팅하는 단계(S617); 및상기 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으로써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하되,상기 나노와이어는, 구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화 나노와이어는,상기 나노와이어가 공기중에서 산화되거나 또는 극성용매와 혼합됨으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법
5 5
나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S710); 액체와 혼합된 상기 산화 나노와이어를 증착시키는 단계(S713);상기 산화 나노와이어를 전사하는 단계(S715);상기 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 선택적으로 레이저에 의해 조사하는 단계(S720); 및상기 레이저에 의해 조사된 영역에 소결 및 환원된 나노와이어가 생성됨으로써 패터닝이 형성되는 단계(S730);를 포함하되,상기 나노와이어는, 구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 패턴 형성방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서,상기 산화 나노와이어는,상기 나노와이어가 공기중에서 산화되거나 또는 극성용매와 혼합됨으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 패턴 형성방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 5 항에 있어서,상기 환원제를 전사된 상기 산화 나노와이어 일면에 박막 코팅하는 단계(S717);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 패턴 형성방법
11 11
제 5 항에 있어서,상기 환원제는 알콜인 것을 특징으로 하는 나노와이어 패턴 형성방법
12 12
제 5 항에 있어서,상기 패터닝은,레이저에 의해 조사되지 아니한 나노와이어를 제거함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 패턴 형성방법
13 13
삭제
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1 WO2013065898 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013065898 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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