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그래핀 기반 양자점 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 기반 양자점 및 그 응용소자

  • 기술번호 : KST2015116481
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 기반 양자점 제조방법으로, 흑연 나노입자를 용매에 혼입하는 단계; 및 상기 용매에 혼입된 흑연 나노입자를 물리적 방식으로 처리하여, 그래핀 기반 양자점을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/50 (2010.01) C09K 11/65 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01)
출원번호/일자 1020130037534 (2013.04.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1440226-0000 (2014.09.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서태석 대한민국 대전광역시 유성구
2 하현동 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0299035-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0023263-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0227226-46
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0518391-62
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0615478-33
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0728672-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0728671-66
9 등록결정서
Decision to grant
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0597111-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 기반 양자점 제조방법으로, 직경 3~4 nm의 흑연 나노입자를 용매에 혼입하는 단계; 및 상기 용매에 혼입된 흑연 나노입자를 초음파 처리 없이 교반하는 단계; 상기 교반된 용매를 원심분리하는 단계; 및 상기 원심분리에 따라 수득된 상층액으로부터, 상기 상층액에 현탁된 상기 그래핀 기반 양자점을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 기반 양자점은 그래핀 양자점 또는 그래핀 산화물 양자점인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 흑연 나노입자는 그래핀 단일층이 5 내지 7층을 이루는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 2항에 있어서, 상기 그래핀 기반 양자점이 그래핀 양자점인 경우, 상기 용매는 물보다 낮은 비등점의 친수성 혼합 용매인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법
7 7
제 2항에 있어서, 상기 그래핀 기반 양자점이 그래핀 산화물 양자점인 경우, 상기 용매는 산성 용매인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 1항 내지 제 3항, 제 6항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 그래핀 기반 양자점
10 10
제 9항에 있어서, 상기 그래핀 기반 양자점은 그래핀 양자점 또는 그래핀 산화물 양자점인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점
11 11
제 10항에 있어서, 광발광 특성에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 청색 형광을, 상기 그래핀 산화물 양자점은 녹색 형광을 발광하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 양자점
12 12
제 10항에 따른 상기 그래핀 기반 양자점을 포함하는응용소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 한국과학기술원 환경융합신기술개발 고속 고효율 다중 중금속 검출을 위한 그래핀 양자점 기반 휴대용 마이크로 디바이스 개발