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입자 성장된 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재,가스 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015116531
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서용 부재, 이를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 입자 성장된 나노 입자를 포함하여 구성되는 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 (a) 복수의 금속산화물 반도체 나노 입자로 구성되는 나노 구조체를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 나노 구조체에 광소결 공정을 거쳐 상기 금속산화물 반도체 나노 입자를 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 금속산화물 반도체 나노 입자가 상기 광소결 공정을 거쳐 성장됨으로 인하여 상기 금속산화물 반도체 나노 입자 간에 가스가 드나들 수 있는 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법을 구성함으로써, 간단한 검출 과정을 통하여 극미량의 가스를 검출해 낼 수 있는 높은 감도 특성을 가지고, 다양한 가스에 대한 검출이 가능하도록 우수한 선택성을 가지며, 센서 기판에 결착하여 기계적 안정성을 가지는 것과 함께, 이를 빠른 시간 내에 대량으로 생산할 수 있는 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법을 개시하는 효과를 갖는다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130095118 (2013.08.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1559465-0000 (2015.10.05)
공개번호/일자 10-2015-0020331 (2015.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20151013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 대전광역시 유성구
2 최선진 대한민국 대전 유성구
3 이서진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0726498-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0671261-82
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1169203-34
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1287226-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0108344-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0202158-08
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0202157-52
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0481941-09
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0802457-51
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0802458-07
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0589833-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 복수의 금속산화물 반도체 나노 입자로 구성되는 나노 구조체를 형성하는 단계; 및(b) 상기 나노 구조체에 광소결 공정을 거쳐 상기 금속산화물 반도체 나노 입자를 성장시키는 단계를 포함하며,상기 금속산화물 반도체 나노 입자가 상기 광소결 공정을 거쳐 성장됨으로 인하여 상기 금속산화물 반도체 나노 입자 간에 가스가 드나들 수 있는 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는,금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,화학적 합성 방법, 물리적 증착 방법 또는 전기방사법을 이용하여,상기 나노 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는,금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,제논(Xenon) 램프, 할로겐 램프, 나트륨 증기(Sodium-vapor) 램프, 수은 증기(Mercury-vapor) 램프 또는 레이져 중 어느 하나 또는 둘 이상을 함께 조사하여 광소결 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는,금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 제논 램프를 이용하여 광소결 공정을 진행함에 있어,광펄스(light pulse)를 1회 내지 30회의 범위 내에서, 켜짐 시간(On time)을 1 내지 100 밀리초(msec)의 범위 내에서, 꺼짐 시간(Off time)을 1 내지 100 밀리초(msec)의 범위 내에서, 전압은 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 광소결 공정을 진행함에 있어서,상기 나노 구조체가 복수개 배열된 어레이(array)에 대하여 동시에 진행하는 것을 특징으로 하는,금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법
6 6
제 2항에 있어서,상기 전기방사법을 이용하여 상기 나노 구조체 중 나노섬유를 형성하는 경우,상기 (a) 단계는,(a1) 금속산화물 전구체와 고분자가 용해되어 있는 방사 용액을 준비하는 단계;(a2) 상기 방사 용액을 전기방사하여, 상기 전구체와 상기 고분자가 복합된 복합 나노섬유를 형성하는 단계; 및(a3) 상기 복합 나노섬유를 산화 분위기에서 열처리하여 금속산화물 반도체 나노섬유를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법
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12 12
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