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양자광 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117310
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n-형 질화갈륨 반도체층; 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 나노 구조체층을 포함하고, 상기 나노 구조체층은, 나노 구조체; 및 상기 나노 구조체 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체의 적어도 일부분을 덮는 금속층을 포함하고, 상기 나노 구조체는 원뿔 또는 다각형뿔 형상의 상단을 갖는 나노 구조체이며, 상기 상단의 적어도 일부분에 양자구조로 이루어진 활성층을 포함하는 양자광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 양자광 소자는 양자구조의 광추출 효율이 높고, 양자구조와 나노공진기의 결합이 용이하여 양자광 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01L 33/04 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130137848 (2013.11.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0055454 (2015.05.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160050952;
심사청구여부/일자 Y (2013.11.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전 유성구
2 공수현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1035059-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062411-23
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0887704-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0038107-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0038104-95
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0425271-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0700510-14
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0700511-60
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0576045-10
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1035920-33
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1035919-97
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0059863-91
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0224886-14
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0401866-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 n-형 질화갈륨 반도체층; 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 나노 구조체층을 포함하고,상기 나노 구조체층은,나노 구조체; 및상기 나노 구조체 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체의 적어도 일부분을 덮는 금속층을 포함하고, 상기 나노 구조체는 원뿔 또는 다각형뿔 형상의 상단을 갖는 나노 구조체이며, 상기 상단의 적어도 일부분에 양자구조로 이루어진 활성층을 포함하는 것인, 양자광 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄, 금, 은, 및 백금 중 1종 이상을 포함하는 것인, 양자광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 양자구조는, 양자우물(quantum well), 양자섬(quantum island), 양자점(quantum dot), 양자 디스크(quantum disk) 및 양자선(quantum wire) 중 1종 이상을 포함하는 것인, 양자광 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 양자구조는 상기 나노 구조체상단의 꼭지점 부분에 양자점 및 상단의 전면에 양자우물이 형성된 것인, 양자광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 나노 구조체의 하단은 상기 n-형 질화갈륨 반도체층과 연결된 것인, 양자광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 활성층의 상단에 p-형 질화갈륨 반도체층 또는 양자장벽층이 더 형성된 것인, 양자광 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 양자장벽층은 i-형 질화갈륨 반도체인 것인, 양자광 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 형성된 n-형 금속 전극층 및 상기 나노 구조체층 상의 적어도 일부분에 형성된 p-형 금속 전극층을 더 포함하는 것인, 양자광 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 n-형 금속 전극은 Co, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, Pt, Ni, Au, ITO 및 ZnO 중 1종 이상을 포함하는 것인, 양자광 소자
10 10
제8항에 있어서,상기 p-형 금속 전극은 Co, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, Pt, Ni, Au, ITO 및 ZnO 중 1종 이상을 포함하는 것인, 양자광 소자
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 양자광 소자의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은: 기판 상에 n-형 질화갈륨 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 나노 구조체층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 나노 구조체층을 형성하는 단계는: 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 홀 패턴 형상으로 패터닝하는 단계;상기 n-형 질화갈륨 반도체층이 노출된 상기 홀 패턴의 홀을 통하여 n-형 질화갈륨 반도체를 성장시켜 나노 구조체를 형성하는 단계; 상기 나노 구조체의 상단에 양자구조로 이루어진 활성층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계; 및상기 식각하는 단계 이후에, 상기 나노 구조체 및 상기 n-형 질화갈륨 반도체층의 적어도 일부분을 덮는 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 양자광 소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성층의 상단에 p-형 질화갈륨 반도체층 또는 양자장벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 양자광 소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 마스크층은 Si3N4, SiO2, TiO2, TiN, 및 Ti 중 1종 이상을 포함하는 것인, 양자광 소자의 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 나노 구조체층을 형성하는 단계 이후에, 상기 n-형 질화갈륨 반도체층 상의 적어도 일부분에 n-형 금속 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 나노 구조체층 상의 적어도 일부분에 p-형 금속 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 양자광 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101733350 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 / 도약(도전) 반도체 양자점과 금속 표면 플라즈몬 제어를 통한 양자 포토닉스 연구