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나노 스케일 패터닝 방법 및 이로부터 제조된 전자기기용 집적소자

  • 기술번호 : KST2015117327
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기조립을 이용한 나노 스케일 패터닝 방법에 관한 것으로, 블록공중합체의 자기조립 성질을 이용하여 라멜라형, 실린더형 등 원하는 형태의 나노 패턴을 형성할 수 있으며, 블록공중합체의 단점인 10㎚ 이하의 구조에서 낮은 segment interaction을 극복할 수 있다. 또한 단일 포토리소그래피를 사용함에도 기존의 나노 패턴에 비해 패턴 밀도를 두 배로 증가시킬 수 있으며, 패턴의 피치 및 주기를 조절할 수 있어 반도체 소자 등 회로의 고집적화가 요구되는 전자기기에 크게 활용할 수 있을 것으로 전망된다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020130163898 (2013.12.26)
출원인 한국과학기술원, 기초과학연구원
등록번호/일자 10-1674972-0000 (2016.11.04)
공개번호/일자 10-2015-0075685 (2015.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20161110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전 유성구
2 문형석 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1189327-10
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0864354-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-5003826-60
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.02.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-5005367-51
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0037525-17
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0041498-11
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0019102-67
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-5010392-11
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0001386-78
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0207859-91
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0207894-89
16 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0091723-73
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0650739-36
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0970990-50
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0971004-46
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0787895-18
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 리소그래피를 이용하여 유기물 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;b) 상기 유기물 포토레지스트 패턴이 포함된 기판 상에 두 종류 이상의 단위체 블록을 포함하는 블록공중합체 박막을 형성하는 단계;c) 상기 블록공중합체 중 어느 하나의 단위체 블록을 선택적으로 제거하는 단계;d) 상기 c) 단계의 블록공중합체 박막 표면에 무기 스페이서층을 형성하는 단계; 및e) 상기 d) 단계의 나머지 블록공중합체 박막 및 유기물 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하며, 상기 블록공중합체는 하나 이상의 친수성 단위체 블록과 하나 이상의 소수성 단위체 블록이 서로 중합되어 이루어진 것을 포함하며, 전체 블록공중합체 분자량 100을 기준으로, 친수성 단위체 블록 : 소수성 단위체 블록의 분자량비는 20 내지 80 : 80 내지 20인 자기조립을 이용한 나노 스케일 패터닝 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 b) 단계는,b1) 유기물 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 영역에 블록공중합체 박막을 형성하는 단계; 및b2) 상기 블록공중합체 박막을 열처리하여 상기 유기물 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 영역에 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계;를 포함하는 나노 스케일 패터닝 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 e) 단계는,e1) 상기 무기 스페이서층 중 제 1방향과 평행한 면에 형성된 부분을 제거하는 단계; 및e2) 나머지 블록공중합체 박막을 제거하는 단계;를 포함하는 나노 스케일 패터닝 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 무기 스페이서층 형성은 저항 가열증착, 전자빔 가열증착, 고주파 가열증착, 레이저빔 가열증착, DC 스퍼터, RF 스퍼터, 바이어스 스퍼터, 이온 플레이팅, 에피택시얼, 상압 CVD법, 감압 CVD법, 플라즈마 CVD, 광 CVD 법 및 atomic layer deposition(ALD) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 방법으로 형성하는 것인 나노 스케일 패터닝 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 유기물 포토레지스트는 노볼락 고분자, 폴리비닐페놀, 아크릴레이트, 노보닌 고분자, 폴리테트라플루오르에틸렌, 실세스퀴옥산 고분자, 폴리메틸메타크릴레이트, 터폴리머, 폴리-1-부텐 술폰, 노볼락계 포지티브 전자 레지스트, 폴리(메틸-알파클로로아크릴레이트-알파메틸스티렌 공중합체, 폴리(글리시딜 메타크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체 및 폴리클로로메틸스티렌으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 고분자 수지를 포함하는 나노 스케일 패터닝 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 리소그래피는 광리소그래피, 소프트리소그래피, 나노임프린트 및 스캐닝 프로브 리소그래피로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 나노 스케일 패터닝 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 블록공중합체는 폴리스티렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부타디엔-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리부타디엔-블록-폴리디메틸실록산, 폴리부타디엔-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부타디엔-블록-폴리비닐피리딘, 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘, 폴리이소프렌-블록-폴리비닐피리딘, 폴리이소프렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리헥실아클리레이트-블록-폴리비닐피리딘, 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리이소부틸렌-블록-폴리디메틸실록산, 폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트, 폴리에틸에틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-블록-폴리부타디엔, 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌, 폴리스티렌-블록-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌-블록-폴리비닐피리딘, 폴리에틸에틸렌-블록-폴리비닐피리딘, 폴리에틸렌-블록-폴리비닐피리딘, 폴리비닐피리딘-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리이소프렌, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리부타디엔, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드, 폴리스티렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리스티렌, 폴리부타디엔-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부타디엔, 폴리부타디엔-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리부타디엔, 폴리부타디엔-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리부타디엔 폴리부타디엔-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리부타디엔, 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리부틸아크릴레이트, 폴리이소프렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리이소프렌, 폴리이소프렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리이소프렌, 폴리헥실아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리헥실아크릴레이트, 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌, 폴리이소부틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌, 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌, 폴리이소부틸렌-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리이소부틸렌, 폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리부틸메타크릴레이트, 폴리에틸에틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리에틸에틸렌, 폴리스티렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리스티렌, 폴리스티렌-블록-폴리부타디엔-블록-폴리스티렌, 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌-블록-폴리스티렌, 폴리스티렌-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리스티렌, 폴리스티렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리스티렌, 폴리에틸에틸렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리에틸에틸렌, 폴리에틸렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리에틸렌, 폴리비닐피리딘-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리이소프렌-블록-폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리부타디엔-블록-폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리에틸렌옥사이드 및 폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 나노 스케일 패터닝 방법
8 8
제 1항에 있어서,f) 상기 e) 단계 기판에서 무기 스페이서층을 에칭 마스크로 이용하여 기판 표면을 에칭하는 단계;를 더 포함하는 나노 스케일 패터닝 방법
9 9
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 기초과학연구원 캠퍼스 연구단 연구사업 나노물질의 조립 및 제작