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진공 분위기의 공간에 내부에 전구체를 공급하는 타겟부재를 배치하는 단계;
상기 타겟부재 위 또는 아래로 나노구조체가 형성될 기판을 이격하여 배치하는 단계;
상기 타겟부재와 기판 사이의 간극을 조절하는 단계;
상기 타겟부재를 나노 구조의 형태에 따라 일정온도로 가열하는 단계;
상기 타겟부재에 펄스전압을 인가하여 상기 타겟부재를 기화시키는 단계; 및
상기 기화된 전구체가 상기 기판 위에 단결정 나노구조로 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형태 조절이 가능한 단결정 나노구조체 제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 타겟부재는 GST, graphite, MoS2, BN, WS2, V2O5 중 어느 하나인 이방성(anisotropic) 2D layered 구조를 갖는 물질, 또는 Si, Ge, GaP, GaAs 중 어느 하나의 반도체 특성을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 단결정 나노 구조체 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 타겟부재는 박막인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, 가열하는 온도는 타겟부재 박막의 용융점 이하인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 타겟부재의 가열온도는 GST인 경우 200~300℃인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, 진공 분위기는 10-3 ~ 10-6 Torr인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, 타겟부재에 인가하는 펄스 전압은 인가전압과 인가시간이 동시에 제어하여 타겟부재를 기화시키는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, GST 타겟부재인 경우 펄스 전압은 4~6V를 50~500ns의 시간동안 공급되는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 타겟부재의 기화 후에 상기 기판에서의 단결정 생성을 위해 상기 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작방법
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진공장치와 연결되어 진공 분위기의 공간을 가지는 메인챔버;
상기 메인챔버의 내부의 바닥면에 장착되는 가열수단을 가지며 타겟부재가 배치되는 베이스;
상기 베이스와 이격되어 설치되며, 상기 타겟부재와 일정간격을 가지도록 기판을 고정할 수 있는 홀더;
상기 홀더를 수직변위시켜 상기 타겟부재와 상기 기판 사이의 거리를 조절하는 변위수단;
상기 홀더에 설치되어 상기 기판을 냉각시키는 냉각수단; 및
상기 타겟부재에 펄스전압을 인가하는 펄스전압 공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 진공장치는 로타리 펌프(rotary pump), 터보 몰레큘러 펌프(turbo molecular pump)를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 가열수단은 전기히터인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 홀더와 상기 베이스에는 열전쌍이 삽입되어 설치되는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 냉각수단은 질소가스가 통과하는 냉각튜브와, 상기 메인챔버의 외부에서 상기 냉각튜브와 열교환하는 열교환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 변위수단은 PZT 스캐너, 또는 Z모션(Z-motion)인 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제10항에 있어서, 상기 펄스전압 공급수단은 펄스발생기와, 상기 펄스전압의 인가시간을 제어하는 제어부와, 상기 타겟부재에 접촉하여 상기 제어부와 연결되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제16항에 있어서, 상기 전극은 원뿔 또는 다각뿔 형상을 가지며, 그 꼭지점이 상기 타겟부재에 접촉되는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제16항에 있어서, 상기 전극은 일단부가 상기 타겟부재에 접촉하고, 타단부가 상기 메인챔버 내부에 설치되는 전극고정부에 고정되는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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제16항에 있어서, 상기 전극은 일단부가 상기 타겟부재에 접촉하고, 타단부가 상기 기판에 고정되어 설치되는 것을 특징으로 하는 단결정 나노구조체 제작장치
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