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규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속나노선

  • 기술번호 : KST2015117727
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속 나노선에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 금속 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 금속 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노선이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 강자성 규화코발트(CoSi) 나노선, 규화철(Fe5Si3) 나노선 및 규화크롬(CrSi2) 나노선에 관한 것으로 상기 강자성 규화코발트 나노선은 초격자구조를 가지며, 음(negative)의 자기저항(magnetoresistance)값을 나타내는 특징이 있으며, 상기 규화철(Fe5Si3) 나노선은 상온에서 안정한 특징이 있고, 상기 규화크롬(CrSi2) 나노선은 반도체 특성을 나타낸다.규화금속, 나노선, 나노와이어, 기상이송법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070013465 (2007.02.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0842871-0000 (2008.06.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.09)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전 유성구
2 서관용 대한민국 대전 유성구
3 싯다르타 바라다즈 인도 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0120580-85
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0687499-17
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0108297-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0108342-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0323387-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 반응로의 후단부에 실리콘 기판을 위치시키고, 반응로의 전단부에 금속 선구물질을 투입하는 단계;b) 반응로의 전단부에서 후단부로 비활성기체의 흐름을 형성하는 단계; c) 반응로의 전단부는 금속 선구물질이 기화될 수 있는 온도로 유지하고 반응로의 후단부는 금속 선구물질이 분해될 수 있는 온도로 유지하는 단계; 및d) 비활성 기체의 흐름에 따라 기화된 할로겐화 금속 선구물질이 반응로 후단부로 이동하면서 분해되어 실리콘 기판 상에서 규화금속 나노선이 성장하는 단계;를 포함하며, 상기 반응로는 100 torr 내지 상압으로 유지하는 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 선구물질은 하기 화학식 1로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 금속 선구물질은 CoCl2, FeI2 또는 CrCl2인 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반응로의 전단부는 500 내지 800℃, 후단부는 800 내지 1000℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 비활성기체의 유량이 50 내지 500 sccm인 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판 상에 실리콘 성분을 함유하지 않는 내열성 재료를 적층하여 노출되는 실리콘 기판의 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 규화금속 나노선의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 내지 제 7 항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 단결정 규화코발트, 규화철 또는 규화크롬으로부터 선택되는 규화금속 나노선
9 9
CoSi 조성을 갖는 강자성(ferromagnetic) 단결정의 규화코발트 나노선
10 10
제 9 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 초격자(superlattice) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 규화코발트 나노선
11 11
제 9 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 음(negative)의 자기저항(magnetoresistance)값을 갖는 것을 특징으로 하는 규화코발트 나노선
12 12
제 9 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 외부 자기장(H)이 없을 때 절대온도 2K 이상에서 0
13 13
제 12 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 절대온도 2K 이상에서 640 Oe 이하의 보자력(Hc)을 가지는 것을 특징으로 하는 규화코발트 나노선
14 14
제 11 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 절대온도 300K 이하에서 음의 자기저항 값을 갖는 것을 특징으로 하는 규화코발트 나노선
15 15
제 13 항에 있어서,상기 규화코발트 나노선은 절대온도 2K 내지 50K에서 1 내지 10 Oe/K의 보자력 감소율을 나타내는 것을 특징으로 하는 규화코발트 나노선
16 16
Fe5Si3의 조성을 갖는 상온에서 안정한 단결정 규화철 나노선
17 17
CrSi2 조성의 단결정 규화크롬 나노선
18 18
제 17항에 있어서,상기 규화크롬 나노선은 전기저항률이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.