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탄소나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117729
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 나노튜브와 고분자의 복합체를 제조하는 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 단량체를 다양한 작용기를 포함하고 있는 탄소 나노튜브 표면에 담지된 금속 촉매 및 조촉매로서 유기 알루미늄 화합물 및 유기 보론 화합물 존재 하에 중합하여 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 작용기를 포함하는 탄소나노튜브에 다양한 형태의 금속 촉매를 담지시키고, 단량체를 담지된 촉매로부터 중합하는 인-씨튜(in-situ)중합법을 활용하여 탄소나노튜브가 고분자에 나노크기로 분산되며, 순수 고분자에 비하여 물리적, 기계적 성질이 향상된 탄소나노튜브를 포함하는 고분자 복합체를 제공한다.탄소 나노튜브, 촉매, 단량체, 복합체
Int. CL C08F 4/64 (2011.01) C08K 3/04 (2011.01) C08F 10/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C08F 4/65916(2013.01) C08F 4/65916(2013.01) C08F 4/65916(2013.01) C08F 4/65916(2013.01) C08F 4/65916(2013.01) C08F 4/65916(2013.01)
출원번호/일자 1020070040933 (2007.04.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0096051 (2008.10.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우성일 대한민국 서울 서초구
2 조현용 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0317217-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0008484-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161426-48
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0373888-32
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0457679-44
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0538707-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0538709-59
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0557471-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
탄소 나노튜브와 고분자 복합체의 제조에 있어서, 표면에 작용기를 갖는 탄소 나노튜브를 유기금속 촉매와 유기용매에 담지시켜 단량체를 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하여 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 작용기는 불소, 염소, 브롬, 요오드, 아민, 히드록시기, 카르복시산, 술폰산, 알콕시, 실록시 탄화수소, 술폭시 탄화수소이며, 헤테로 고리기, 지방족 탄화수소, 지환족 탄화수소, 방향족 탄화수소, 알킬 치환된 방향족 탄화수소에 포함되어 있는 1개 이상의 탄소 또는 수소 대신, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 산소, 황 또는 질소 중에서 선택된 1종 이상이 치환된 작용기로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 탄소 나노튜브의 표면에 있는 작용기 중의 알콕시기는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 이소프로폭시 또는 페녹시 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 탄소 나노튜브의 표면에 있는 작용기에서 탄소 수소 대신 불소, 염소, 브롬, 요오드, 산소, 황 또는 질소 중에서 선택된 1종 이상이 치환된 지방족 탄화수소는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, iso-프로필 또는 tert-부틸 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 탄소 나노튜브의 표면에 있는 작용기에서 탄소 수소 대신 불소, 염소, 브롬, 요오드, 산소, 황 또는 질소 중에서 선택된 1종 이상이 치환된 지환족 탄화수소기는 아다만틸, 노르보르닐, 시클로펜틸 또는 시클로헥실 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 탄소 나노튜브의 표면에 있는 작용기에서 탄소 수소 대신 불소, 염소, 브롬, 요오드, 산소, 황 또는 질소 중에서 선택된 1종 이상이 치환된 방향족 탄화수소기는 벤질, 톨릴, 메시틸, 2,6-디이소프로필페닐 또는 2,4,6-트리메틸 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 탄소 나노튜브의 표면에 있는 작용기에서 탄소 수소 대신 불소, 염소, 브롬, 요오드, 산소, 황 또는 질소 중에서 선택된 1종 이상이 치환된 헤테로고리기는 2-피리디닐 또는 2-피롤릴 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 작용기를 포함하는 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브(single-well carbon nanotube), 이중벽 탄소 나노튜브(double-well carbon nanotube) 또는 다중벽 탄소 나노튜브(multi-well carbon nanotube) 중에서 선택된 어느 1종 이상으로 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
9 9
제 1항의 작용기를 갖는 탄소 나노튜브의 표면처리는 유기 알루미늄 화합물 또는 유기 보론 화합물을 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 유기 알루미늄 화합물은 메틸 알루미녹산(methyl aluminoxane), 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum), 트리에틸 알루미늄(triethyl aluminum), 티리이스부틸 알루미늄(triiso-butyl aluminum), 디메틸클로로 알루미늄(dimethyl chloro aluminum), 디에틸클로로 알루미늄(diethyl chloro aluminum), 메틸 디클로로 알루미늄(methyl dichloro aluminum) 또는 에틸 디클로로 알루미늄(ethyl dichloro aluminum) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 유기 보론 화합물은 트리페닐 보론(triphenylboron), 트리스펜타플로로페닐 보론(tris(pentafluoropheneyl)boron), 트리스(3,5-디(트리플로로메틸)페닐)보론(tris(3,5-di(trifluoromethyl)phenyl)boron), 테트라페닐보레이트염(tetraphenylborate salt) 또는 테트라키스(펜타플로로페닐)보레이트염(tetrakis(pentapluorophenyl)borate salt) 중에서 선택된 1종 이상으로 하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
12 12
제 9항의 유기 알루미늄 화합물 또는 유기 보론 화합물을 사용하면서, 유기용매를 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene), 톨루엔(toluene), n-헥산(n-hexane), n-펜탄(n-pentane), n-헵탄(n-heptane), 클로로벤젠(chlorobenzene), 디클로로메탄(dichloromethane), 클로로폼(chloroform), 1,2-디클로로에탄(1,2-dichloroethane), 1,1,2,2-테트라클로로에탄(1,1,2,2-tetrachloroethane), N,N-디메틸 폼아마이드(N,N-dimethyl formamide) 또는 디메틸술폭사이드(dimethyl solfoxided) 중에서 선택된 1종 이상을 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용하는 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
13 13
탄소 나노튜브에 유기금속 촉매를 담지하여 단량체를 인-씨튜 중합하여 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조에 있어서, 사용되는 유기금속 화합물 촉매는 하기의 화학식(1)의 구조를 갖는 유기금속 화합물 촉매를 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 올레핀 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
14 14
탄소 나노튜브에 유기금속 촉매를 담지하여 단량체를 인-씨튜 중합하여 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조에 있어서, 사용되는 유기금속 화합물 촉매는 하기의 화학식(2)의 구조를 갖는 유기금속 화합물 촉매를 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
15 15
탄소 나노튜브에 유기금속 촉매를 담지하여 단량체를 인-씨튜 중합하여 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조에 있어서, 사용되는 유기금속 화합물 촉매는 하기의 화학식(3)의 구조를 갖는 유기금속 화합물 촉매를 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
16 16
제 13항 내지 제 15항 중에서 어느 한 항의 유기금속 화합물 중에서 선택된 어느 1종 이상의 유기금속 화합물을 탄소 나노튜브에 담지하는 촉매로 사용함에 있어서, 함께 사용되는 유기 알루미늄 화합물 또는 유기 보론 화합물을 사용하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
17 17
제 16항에 있어서, 유기 알루미늄 화합물은 메틸 알루미녹산(methyl aluminoxane), 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum), 트리에틸 알루미늄(triethyl aluminum), 티리이스부틸 알루미늄(triiso-butyl aluminum), 디메틸클로로 알루미늄(dimethyl chloro aluminum), 디에틸클로로 알루미늄(diethyl chloro aluminum), 메틸 디클로로 알루미늄(methyl dichloro aluminum) 또는 에틸 디클로로 알루미늄(ethyl dichloro aluminum) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
18 18
제 16항에 있어서, 유기 보론 화합물은 트리페닐 보론(triphenylboron), 트리스펜타플로로페닐 보론(tris(pentafluoropheneyl)boron), 트리스(3,5-디(트리플로로메틸)페닐)보론(tris(3,5-di(trifluoromethyl)phenyl)boron), 테트라페닐보레이트염(tetraphenylborate salt) 또는 테트라키스(펜타플로로페닐)보레이트염(tetrakis(pentapluorophenyl)borate salt) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
19 19
탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브와 고분자 복합체 제조에 있어서, 원료인 단량체는 아크릴레이트와 그 유도체, α-올레핀과 그 유도체, 스티렌과 그 유도체, 부타디엔과 그 유도체, ε-카르로락탐과 그 유도체 또는 헥사메틸렌디아민과 그 유도체 중에서 선택된 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브에 담지된 촉매에 의한 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
20 20
제 1항에 있어서, 단량체는 메틸아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트 또는 tert-부틸아크릴레이트 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인-씨튜 중합법을 이용한 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.