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독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 ＡＦＭ 정밀 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015118721
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법은 독립 나노 구조체의 주위에 미세 분자를 다층으로 성장시켜 상기 독립 나노 구조체를 고정하는 고정 단계; 상기 미세 분자를 열처리하여 상기 미세 분자의 표면을 평탄화시키는 평탄화 단계; 및 상기 독립 나노 구조체의 상부에 AFM 탐침을 배치하여 상기 독립 나노 구조체를 측정하는 측정 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01Q 60/24 (2010.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0085(2013.01) B82B 3/0085(2013.01) B82B 3/0085(2013.01)
출원번호/일자 1020130017895 (2013.02.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1347557-0000 (2013.12.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진환 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0151381-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.03 수리 (Accepted) 9-1-2013-0099385-44
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0883197-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
독립 나노 구조체의 주위에 미세 분자를 다층으로 성장시켜 상기 독립 나노 구조체를 고정하는 고정 단계;상기 미세 분자를 열처리하여 상기 미세 분자의 표면을 평탄화시키는 평탄화 단계; 및상기 독립 나노 구조체의 상부에 AFM 탐침을 배치하여 상기 독립 나노 구조체를 측정하는 측정 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 고정 단계에서는,상기 독립 나노 구조체에 포함된 빈 공간을 상기 미세 분자가 채워져 외력에 의한 상기 독립 나노 구조체의 변형을 방지하는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 평탄화 단계에서는,상기 미세 분자를 어닐링을 통해 평탄화시켜 상기 독립 나노 구조체와 상기 미세 분자를 구별시키는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 미세 분자는 불활성 기체 또는 화학적으로 안정하고 균일한 성장이 가능한 다원자 분자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 독립 나노 구조체는 분자량이 수십인 분자로부터 분자량이 수만 내지 수십만인 분자 및 이들 분자의 결합으로 된 생체조직 또는 복잡한 형태의 나노 구조체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 측정 단계 후,상기 미세 분자를 층 단위로 제거하여 미세 분자의 높이를 조절하는 조절 단계; 및상기 독립 나노 구조체를 상기 AFM 탐침을 이용하여 재측정하는 재측정 단계;를 더 포함하고,상기 조절 단계 및 상기 재측정 단계를 순차적으로 반복 수행하여 상기 미세 분자의 높이를 층 단위로 낮추면서 상기 독립 나노 구조체의 전체 상면 구조를 측정하는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 조절 단계에서는 상기 미세 분자를 열처리로 증발 또는 승화시켜 미세 분자의 높이를 낮추는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 조절 단계에서는 상기 미세 분자를 이온빔 스퍼터링을 통해 제거하여 미세 분자의 높이를 낮추는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
9 9
독립 나노 구조체를 다층의 미세 분자로 고정한 후 상기 미세 분자를 층 단위로 제거하면서 상기 독립 나노 구조체를 AFM 탐침을 이용하여 측정하는 제 1측정 단계;상기 독립 나노 구조체의 측정 각도를 가변시키는 각도 가변 단계; 및상기 독립 나노 구조체를 다층의 상기 미세 분자로 재고정한 후 상기 미세 분자를 층 단위로 제거하면서 상기 독립 나노 구조체를 상기 AFM 탐침을 이용하여 재측정하는 제 2측정 단계;를 포함하고,상기 각도 가변 단계 및 상기 제 2측정 단계를 순차적으로 반복 수행하여 다양한 각도에서 상기 독립 나노 구조체를 측정하는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 제 1측정단계 및 제 2측정 단계는상기 독립 나노 구조체의 주위에 미세 분자를 다층으로 성장시켜 상기 독립 나노 구조체를 고정하는 고정 공정;상기 미세 분자를 열처리하여 상기 미세 분자의 표면을 평탄화시키는 평탄화 공정;상기 독립 나노 구조체의 상부에 AFM 탐침을 배치하여 상기 독립 나노 구조체를 측정하는 측정 공정;상기 미세 분자를 층 단위로 제거하여 미세 분자의 높이를 조절하는 조절 공정; 및상기 독립 나노 구조체를 상기 AFM 탐침을 이용하여 재측정하는 재측정 공정;을 각각 포함하고,상기 조절 공정 및 상기 재측정 공정을 순차적으로 반복 수행하여 상기 미세 분자의 높이를 층 단위로 낮추면서 상기 독립 나노 구조체의 전체 상면 구조를 측정하는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
11 11
제 9항에 있어서,상기 각도 가변 단계는 상기 AFM 탐침을 이용하여 상기 독립 나노 구조체의 배치 상태를 변경시켜 상기 독립 나노 구조체(100)의 측정 각도를 가변시키는 것을 특징으로 하는 독립 나노 구조체의 3차원 구조에 대한 AFM 정밀 측정 방법
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1 교육과학기술부 한국과학기술원 기초과학연구사업 배면전극 그래핀 pn접합을 활용한 Veselago 렌즈 효과의 저온 주사 터널링 현미경 연구