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나노구조물 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물, 이를 위한 제조장치

  • 기술번호 : KST2015118876
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조물 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물, 이를 위한 제조장치가 제공된다. 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 나노구조물 전구체용액에 침지된 기판에 광에너지를 인가하는 방식으로 상기 기판상에 나노구조물을 성장시키며, 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 고온의 증발 과정이 필요 없으므로, 경제성 등이 우수하다. 또한, 종래의 기상에서 진행되는 VLS법과는 달리 본 발명은 액상의 환경에서 나노구조물 성장 반응을 진행하므로, 경제성과 더불어 안전성이 우수하고, 보다 환경 친화적이다. 더 나아가, 원하는 각도와 위치에서 광에너지를 집적시키는 기술적 구성을 통하여 원하는 형태의 나노구조물을 소자에서 직접 제조할 수 있으며, 이에 따라 제조된 나노구조물을 다시 조립, 집적시키는 공정이 불필요하게 되는 장점이 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) B28B 1/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01)H01L 21/02603(2013.01)H01L 21/02603(2013.01)H01L 21/02603(2013.01)H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100013750 (2010.02.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1177186-0000 (2012.08.20)
공개번호/일자 10-2011-0094409 (2011.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고승환 대한민국 대전광역시 유성구
2 박인규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0099069-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0057685-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0499084-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0772789-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0772790-53
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0245342-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343313-93
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0343314-38
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0300355-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조물 제조방법으로,상기 나노구조물의 종자가 구비된 기판을 상기 나노구조물 전구체 용액에 침지시킨 후, 상기 침지된 기판에 광에너지를 직접 인가하는 방식으로 상기 기판상에 나노구조물을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노구조물은 수열반응에 의하여 성장하는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 나노구조물 전구체 용액은 성장시키고자 하는 나노구조물의 금속염과 암모니아를 포함하는 수용액인 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광에너지는 레이저 광원으로부터의 레이저인 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 레이저 광원으로부터의 광에너지는 상기 나노구조물 전구체 용액에 침지된 상기 기판을 직접 가열시키는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 기판의 온도는 전구체 용액의 끓는점 미만인 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
8 8
삭제
9 9
나노와이어 제조방법에 있어서, 성장시키고자 하는 나노와이어의 금속염을 포함하는 전구체 용액에 성장시키자 하는 소자를 침지시키는 단계; 및전구체 용액에 침지된 상기 소자에 레이저 광원으로부터 인가되는 광에너지를 집중시켜, 상기 광에너지가 집중된 상기 소자의 지점을 국소 가열하여 상기 가열된 소자의 지점으로부터 나노와이어를 직접 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 전구체 용액은 아연염 및 암모니아를 포함하는 수용액이며, 상기 나노와이어는 ZnO 나노와이어인 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 소자에는 종자층이 적층된 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 종자층 하부에는 레이지 광원으로부터 인가되는 광에너지를 흡수하는 광에너지 흡수 박막이 구비된 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
13 13
제 9항에 있어서,상기 레이저 광원으로부터 인가되는 광에너지는 상기 소자를 국소적으로 가열하는 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 가열은 상기 전구체 용액의 끓는점 미만으로 상기 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는, 나노와이어 제조방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
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2 US8865114 US 미국 DOCDBFAMILY
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